| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Kompensations-Halbleiterbauelement mit einer in einem Halbleiterkörper ausgebildeten Drift-Zone (12) und wenigstens einer im Randbereich (103A, 103B) des Halbleiterkörpers in der Drift-Zone (12) ausgebildeten Kompensationszone (52A, 52B, 52C, 52D). Die Kompensationszone (52A, 52B, 52C, 52D) ist komplementär zu der Drift-Zone (12) dotiert und durch wenigstens eine Verbindungszone (60A, 60B, 60C) an eine Kanalzone (20) angeschlossen, die komplementär zu der Drift-Zone (12) dotiert ist und die die Drift-Zone (12) von einer ersten Anschlusszone (30) desselben Leitungstyps wie die Drift-Zone (12) trennt. Eine Steuerelektrode (40) ist isoliert gegenüber der Kanalzone (20) ausgebildet.
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