发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von NROM-Speicherzellen mit Grabentransistoren |
摘要 |
Es wird eine elektrisch leitfähige Bitleitungsschicht aufgebracht und in prallel zueinander angeordnete Anteile strukturiert, bevor der Graben in das Halbleitermaterial geätzt wird, wobei nach dem Strukturieren der Bitleitungsschicht (3, 4) und vor der Ätzung des Grabens eine Implantation zur Festlegung der Position der Junctions eingebracht wird oder nach der Implantation der n·+·-Wanne (19) für die Source-/Drain-Bereiche die Bitleitungsschicht (3, 4) unter Verwendung einer auf dem Halbleiterkörper (1) angeordneten Ätzstoppschicht (2) struktuiert wird.
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申请公布号 |
DE10225410(A1) |
申请公布日期 |
2004.01.08 |
申请号 |
DE20021025410 |
申请日期 |
2002.06.07 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;INGENTIX GMBH & CO. KG |
发明人 |
DEPPE, JOACHIM;KLEINT, CHISTOPH;LUDWIG, CHRISTOPH;WILLER, JOSEF |
分类号 |
H01L29/41;H01L21/8242;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L29/41 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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