| 发明名称 |
PROCESSES OF EPITAXIAL DEPOSITION OR DIFFUSION EMPLOYING A SILICON CARBIDE MASKING LAYER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3451867(A) |
申请公布日期 |
1969.06.24 |
| 申请号 |
USD3451867 |
申请日期 |
1966.05.31 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC CO. |
发明人 |
ERNEST A. TAFT JR.;PETER V. GRAY |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/033;H01L21/314;(IPC1-7):H01L7/44;H01L7/36;B44D1/52 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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