| 发明名称 |
PHOTO-DIODE AND TRANSISTOR SEMICONDUCTOR RADIATION DETECTOR WITH THE PHOTODIODE BIASED SLIGHTLY BELOW ITS BREAKDOWN VOLTAGE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3452206(A) |
申请公布日期 |
1969.06.24 |
| 申请号 |
USD3452206 |
申请日期 |
1967.06.15 |
| 申请人 |
GENERALE D'ELECTRICITE:CIE. |
发明人 |
JEAN-PIERRE BIET;JACQUES L. BENOIT |
| 分类号 |
H01L27/07;H01L27/144;H01L27/146;H01L31/00;(IPC1-7):H01J39/00;H01J39/12 |
主分类号 |
H01L27/07 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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