| 发明名称 | 无阻障层且具有多层种子层的内连线工艺与结构 | ||
| 摘要 | 一种无阻障层(Barrier Layer)且具有多层种子层(Seed Layer)的内连线(Interconnect)工艺与结构。本发明的技术特征在于，具有交互堆栈的合金种子层与纯金属种子层的多层种子层，且工艺中利用热退火(Annealing)步骤以形成无阻障层且具有多层种子层的内连线结构。运用本发明的工艺与结构，除可省去公知阻障层外，更可借以降低接触电阻(ContactResistance；R<SUB>C</SUB>)与片电阻(SheetResistance；R<SUB>S</SUB>)。 | ||
| 申请公布号 | CN1466187A | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN02122886.8 | 申请日期 | 2002.06.17 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊成;黄震麟;眭晓林;梁孟松 |
| 分类号 | H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种无阻障层(Barrier layer)且具有多层种子层(Seed Layer)的内连线(Interconnect)的工艺，其特征是，该工艺至少包括：提供一基材，该基材具有一预设结构，且该预设结构上具有一开口；形成堆栈的多个种子层覆盖该基材；形成一金属层覆盖该些种子层并填满该开口；进行一热退火(Annealing)步骤；以及平坦化该金属层，使约暴露出部分的该预设结构。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹县园区三路121号 | ||