发明名称 | 化合物半导体磁阻式光电传感器 | ||
摘要 | 本实用新型提供一种化合物半导体磁阻式光电传感器,包括化合物半导体磁阻芯片、半导体发光二极管、永磁体、基片,其相互连接关系为:化合物半导体磁阻芯片固定在基片上,基片与永磁体固定连接,半导体发光二极管设置于化合物半导体及其基片的上方。本化合物半导体磁阻式光电传感器具有体积小、重量轻、结构牢固紧凑、使用寿命长的优点,而且制造容易、加工方便,生产成本较低,适合于大规模地推广使用,可适用于自动控制、数码传输、光电隔离等现代测量与控制领域,应用前景较广。 | ||
申请公布号 | CN2597948Y | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
申请号 | CN03222840.6 | 申请日期 | 2003.01.09 |
申请人 | 华南师范大学 | 发明人 | 黄钊洪 |
分类号 | G01D5/26;H01L49/00 | 主分类号 | G01D5/26 |
代理机构 | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人 | 杨晓松 |
主权项 | 1、一种化合物半导体磁阻式光电传感器,其特征在于:包括化合物半导体磁阻芯片、半导体发光二极管、永磁体、基片,其相互连接关系为:化合物半导体磁阻芯片固定在基片上,基片与永磁体固定连接,半导体发光二极管设置于化合物半导体及其基片的上方。 | ||
地址 | 510630广东省广州市天河区石牌 |