发明名称 化合物半导体磁阻式光电传感器
摘要 本实用新型提供一种化合物半导体磁阻式光电传感器,包括化合物半导体磁阻芯片、半导体发光二极管、永磁体、基片,其相互连接关系为:化合物半导体磁阻芯片固定在基片上,基片与永磁体固定连接,半导体发光二极管设置于化合物半导体及其基片的上方。本化合物半导体磁阻式光电传感器具有体积小、重量轻、结构牢固紧凑、使用寿命长的优点,而且制造容易、加工方便,生产成本较低,适合于大规模地推广使用,可适用于自动控制、数码传输、光电隔离等现代测量与控制领域,应用前景较广。
申请公布号 CN2597948Y 申请公布日期 2004.01.07
申请号 CN03222840.6 申请日期 2003.01.09
申请人 华南师范大学 发明人 黄钊洪
分类号 G01D5/26;H01L49/00 主分类号 G01D5/26
代理机构 广州粤高专利代理有限公司 代理人 杨晓松
主权项 1、一种化合物半导体磁阻式光电传感器,其特征在于:包括化合物半导体磁阻芯片、半导体发光二极管、永磁体、基片,其相互连接关系为:化合物半导体磁阻芯片固定在基片上,基片与永磁体固定连接,半导体发光二极管设置于化合物半导体及其基片的上方。
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