| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体器件的制造方法，它包括：以与半导体膜的一个区域接触的方式，将催化剂物质沉积在将被结晶的基片的绝缘表面上，该催化剂可促进半导体膜结晶；加热使半导体膜结晶；使半导体膜于900-1200℃退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1134046C | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN99126442.8 | 申请日期 | 1994.12.02 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大谷久;安达广树;宫永昭治;高山彻 |
| 分类号 | H01L21/20 | 主分类号 | H01L21/20 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨丽琴 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，它包括以下的步骤：使一种催化剂元素以与半导体膜的一个区域接触的方式，沉积在基片的一个绝缘表面上，所述催化剂元素能够促进该半导体膜的结晶化；通过加热使所述半导体膜结晶；和使所述半导体膜于900-1200℃的温度范围进行退火。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||