发明名称 METHOD OF FABRICATING AN OXIDE LAYER ON A SILICON CARBIDE LAYER UTILIZING AN ANNEAL IN A HYDROGEN ENVIRONMENT
摘要
申请公布号 EP1378006(A2) 申请公布日期 2004.01.07
申请号 EP20020733980 申请日期 2002.04.12
申请人 CREE, INC. 发明人 LIPKIN, LORI, A.;DAS, MRINAL, KANTI
分类号 H01L21/316;H01L21/04;H01L21/28;H01L21/314;H01L21/318;H01L29/24;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/316 主分类号 H01L21/316
代理机构 代理人
主权项
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