发明名称 | 折叠结构的吉尔伯特混频器 | ||
摘要 | 本发明属于无线通信接收机系统技术领域,涉及折叠结构的吉尔伯特混频器,由MOS管M1和M2,M3和M4,M5和M6以及电阻R1和R2组成对称结构,其特征在于,所说的MOS管M3~M6为PMOS管;本发明在电路的设计中增加了一个功耗的自由度,减弱了噪声,线性度和转换增益的相互关联度,可以分别对这三个指标进行优化,而对它们优化的直接代价是功耗,而不再是其它指标的恶化。 | ||
申请公布号 | CN1134114C | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
申请号 | CN02123630.5 | 申请日期 | 2002.07.05 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 李永明;陈弘毅;林敏 |
分类号 | H04B1/16;H03D1/04 | 主分类号 | H04B1/16 |
代理机构 | 北京清亦华专利事务所 | 代理人 | 廖元秋 |
主权项 | 1、一种折叠结构的吉尔伯特混频器,由MOS管M1和M2,MOS管M3和M4,MOS管M5和M6以及电阻R1和R2组成对称结构,其特征在于,所说的MOS管M3~M6为PMOS管;其连接关系为:射频差分射频信号RF-P、RF-M分别从MOS管M1和M2的栅极输入,MOS管M1和M2的源极耦合并直接接地,MOS管M1的漏极接到MOS管M3和M4的源极及电源VDD正电压上,而MOS管M2的漏极则接到MOS管M5和M6的源极及电源VDD正电压上,MOS管M3和M4,MOS管M5和M6分别组成两个源极耦合对并分别接到MOS管M1和M2的漏极上,MOS管M3的漏极和MOS管M5的漏极相耦合接到电阻R2上,MOS管M4和M6的漏极相耦合接到电阻R1上,差分本振信号LO-P、LO-M分别接到MOS管M3~M6的栅极上,电阻R1和R2接到地。 | ||
地址 | 100084北京市海淀区清华园清华大学 |