| 发明名称 | 电极构造、薄膜构造体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的主要目的在于提供一种不会去除其他的绝缘膜而去除腐蚀膜的电极构造、薄膜构造体的制造方法。为了达到上述目的而形成地锚孔(52)，该地锚孔是将腐蚀膜(51)、氮化膜(47)所覆盖的配线(45)的表面开口而形成的。地锚孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蚀膜(51)的开口(51a)构成。孔部(47c)从配线(45)表面的边部(45a)仅进入配线(45)的内方第一规定距离(d1)而开口。开口(51a)从孔部(47c)仅后退第二规定距离(d2)而开口。由于第一及第二规定距离(d1、d2)的存在，故去除腐蚀膜(51)用的腐蚀剂渗入氧化膜(33)的距离长。 | ||
| 申请公布号 | CN1466775A | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN01816484.6 | 申请日期 | 2001.07.30 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 堀川牧夫;石桥清志;奥村美香 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L29/84 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张天安;杨松龄 |
| 主权项 | 1.一种电极构造，包括：选择性地配置在第一绝缘膜(33)上的配线(45)；第二绝缘膜(47)，它覆盖上述第一绝缘膜，具有从上述配线表面的边部(45a)仅进入上述配线内方第一规定距离(d1)，选择性地露出上述配线表面的孔部(47c)，选择性地覆盖上述配线；腐蚀膜(51)，它具有选择性地露出上述配线的表面的开口(51a)，至少选择性地形成于上述第二绝缘膜上；由导电材料构造的薄膜层(53)，该薄膜层与经由上述开口及孔部选择性地露出的上述配线的表面相连接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||