发明名称 |
碳纳米管“或否”逻辑器件 |
摘要 |
本发明涉及一种碳纳米管“或否”逻辑器件,它包括以Si作为衬底,该衬底上设有SiO<SUB>2</SUB>氧化层,在Si衬底的SiO<SUB>2</SUB>绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极;所述的栅极包括两个独立的栅极,在位于Si衬底上SiO<SUB>2</SUB>绝缘层中彼此相邻的两条沟槽之中沉积的Al,并经表面氧化形成的Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>绝缘层构成,栅极的绝缘层厚度小于3纳米;所述的电极包括两个独立的电极,位于Si衬底上SiO<SUB>2</SUB>绝缘层和碳纳米管之上,或碳纳米管之下;一根碳纳米管平直放置在SiO<SUB>2</SUB>绝缘层的表面上,与栅极的Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>绝缘层表面以及电极的贵金属层表面相接触。一个电极加恒定偏压,另一电极为输出端,利用两个栅极控制碳纳米管截止或导通,从而实现了逻辑“或否”功能。与其它碳纳米管“或否”逻辑器件相比,本发明结构简单,且易于制作。 |
申请公布号 |
CN1466215A |
申请公布日期 |
2004.01.07 |
申请号 |
CN02123861.8 |
申请日期 |
2002.07.05 |
申请人 |
中国科学院物理研究所 |
发明人 |
赵继刚;王太宏 |
分类号 |
H01L27/04;H03K19/20;H03K19/02 |
主分类号 |
H01L27/04 |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王凤华 |
主权项 |
1.一种碳纳米管结构的“或否”逻辑器件,包括以Si作为衬底,该衬底上设有SiO2氧化层,在Si衬底的SiO2绝缘层上设置碳纳米管、栅极和电极;其特征在于:所述的栅极包括两个独立的栅极,在位于Si衬底上SiO2绝缘层中彼此相邻的两条沟槽之中沉积的Al,并经表面氧化形成的Al2O3绝缘层构成,栅极的绝缘层厚度小于3纳米;所述的电极包括两个独立的电极,位于Si衬底上SiO2绝缘层和碳纳米管之上,或碳纳米管之下;一根碳纳米管平直放置在SiO2绝缘层的表面上,与栅极的Al2O3绝缘层表面以及电极的贵金属层表面相接触,一个电极与恒定源连接,另一电极为输出端;栅极作为输入端。 |
地址 |
100080北京市海淀区中关村南三街8号 |