发明名称 |
适于使用液态导电材料的半导体晶片及其制造方法 |
摘要 |
一种适于使用液态导电材料的半导体晶片及其制造方法,该半导体晶片具有至少两由一绝缘层分隔的上部和下部金属层及在下部金属层周围的接地金属层,在该半导体晶片的表面凹设有数个焊垫形成区,每一焊垫形成区由一底壁和周壁形成,于该晶片的表面及焊垫形成区内布设绝缘材料,将位于该焊垫形成区的绝缘材料移去,使余下的绝缘材料在所述各上部和下部金属层之间形成隔离层,使液态导电材料灌注入该焊垫形成区时在所述金属层之间不出现短路现象。 |
申请公布号 |
CN1134050C |
申请公布日期 |
2004.01.07 |
申请号 |
CN00108074.1 |
申请日期 |
2000.06.08 |
申请人 |
群翼科技股份有限公司 |
发明人 |
沈明东 |
分类号 |
H01L21/283;H01L21/768;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L21/283 |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 |
代理人 |
李树明 |
主权项 |
1、一种适于使用液态导电材料的半导体晶片的制造方法,该半导体晶片具有至少两由一绝缘层分隔的上部和下部金属层及在下部金属层周围的接地金属层,在该半导体晶片的表面凹设有数个焊垫形成区,每一焊垫形成区由一底壁和周壁形成,使下部的金属层和接地金属层铺设于焊垫形成区的底壁上,而上部的金属层凸露于焊垫形成区的周壁上,在铺设于焊垫形成区底壁上的金属层上是以铝为材料形成一焊垫,其特征在于:该方法包含如下步骤:于该晶片的表面及焊垫形成区内布设绝缘材料;及将位于该焊垫形成区中央的绝缘材料移去,以致于余下的绝缘材料在所述的各上部和下部金属层之间形成隔离层,使当液态导电材料灌注入该焊垫形成区时,在所述的各上部和下部金属层之间不会出现短路现象。 |
地址 |
中国台湾 |