| 发明名称 | 共晶焊背面金属化工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开的共晶焊背面金属化工艺，其特征包括正面保护、背面减薄、背面抛光、清洗、蒸镀、合金等工艺步骤。本发明利用砷金与硅接触电阻小的特点，在管芯的背面蒸镀上一层砷金，解决了一般金属同硅接触呈整流特性的问题，以便在引线时能获得良好的欧姆接触。同时利用此工艺制得的芯片适合于9000系列小信号等管芯的无焊料的自动焊接工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1466172A | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN02114199.1 | 申请日期 | 2002.06.13 |
| 申请人 | 衡阳科晶微电子有限公司 | 发明人 | 周理明;刘谋忠;钟铂;唐慧 |
| 分类号 | H01L21/285;H01L21/443 | 主分类号 | H01L21/285 |
| 代理机构 | 衡阳市科航专利事务所 | 代理人 | 傅戈雁 |
| 主权项 | 1、共晶焊背面金属化工艺，其特征是它包括以下步骤：(1)、正面保护：是在硅片的正面贴上一层保护膜；(2)、背面减薄：是将芯片背面减薄至所需厚度；(3)、背面抛光：是将磨片产生的损伤层去除；(4)、清洗：将抛光后的芯片清洗干净；(5)、蒸镀：在真空条件下，使抛光面上镀上一层砷金。 | ||
| 地址 | 421007湖南省衡阳市易家塘七号 | ||