发明名称 | 具有待测的半导体存储电路的半导体器件 | ||
摘要 | 一种半导体器件,它能指定半导体存储电路的存储部件中产生的缺陷部分并缩短其测试所需的时间。此半导体器件包括测试方式产生器,用于产生表示测试类型的测试方式以及由此测试方式所获的期望值;所述半导体存储电路,具有以行和列的矩阵形式排列并分别在其中存储数据的多个存储单元;判定部件,用于把输出的数据与期望值相比较并从中输出比较结果;以及变换部件,用于把比较结果转换成地址数据并把它输出到所述测试装置。 | ||
申请公布号 | CN1134017C | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
申请号 | CN97118050.4 | 申请日期 | 1997.09.05 |
申请人 | 冲电气工业株式会社 | 发明人 | 田边哲也;田野井聪;德永安弘 |
分类号 | G11C11/34;G11C29/00 | 主分类号 | G11C11/34 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
主权项 | 1.一种半导体器件,具有结合外部测试装置测试其操作的半导体存储电路,其特征在于所述半导体器件包括:测试方式产生器,响应于所述测试装置发出的命令产生表示测试类型的测试方式以及估计待由此测试方式获得的期望值;所述半导体存储电路具有以行和列的矩阵形式排列并分别在其中存储数据的多个存储单元,所述半导体存储电路根据测试方式而启动,从而输出存储在每一列的各个存储单元中的数据;判定部件,用于把输出的数据与期望值相比较并从中输出比较结果;以及变换部件,用于把比较结果转换成地址数据并把它输出到所述测试装置。 | ||
地址 | 日本东京 |