具有至少两个片状分段的集成式存储器

摘要

每个存储器电容(C)的一个电极经所属的选择晶体(T)与位线(BLi)之一相连，并且其另一个电极与片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)之一相连。其中的每个选择晶体体管(T)的一个控制端与字线(WLi)之一相连。在一个正常工作方式中，对所述存储单元(WC)进行存取时，分别只有一个所述片状分段得到脉冲电位。在一个测试工作方式中，所述两个片状分段同时得到脉冲电位。

主权项

1.一种集成式存储器，包括：-具有各自的电位接点的片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)，各电位接点用于分别向所述片状分段提供电位(VPA，VPB；VPC，VPD)，-存储单元(MC)，它在一个单元阵列内沿位线(BLi)、字线(WLi)以及至少两个片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)设置，并且各具有一个选择晶体管(T)和一个存储器电容(C)，其中所述存储单元被设置在所述位线和字线的交叉点处，-其中每个存储器电容(C)的一个电极经所属的选择晶体管(T)与所述位线(BLi)之一相连，并且其另一个电极与所述片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)之一的电位接点相连，-其中的每个选择晶体管(T)的一个控制端与所述字线(WLi)之一相连，-具有一个正常工作方式，在该方式中，对所述存储单元(MC)进行存取时，分别只有一个所述片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)得到脉冲它位，-还具有一个测试工作方式，在该方式中，所述两个片状分段(PLA，PLB；PLC，PLD)同时得到脉冲电位。