| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法 | ||
| 摘要 | 一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，它包括于芯片的正面或基板面沿切割线施以放电蚀刻；于放电蚀刻面的背面进行劈裂剥离成晶粒。其以放电蚀刻方式进行发光二极管组件的晶粒切割剥离的辅助技术，该方法有别于一般使用钻石刀及点划线的切割方式，具有有效的缩短切割工时、改善晶粒剥离的优良率及外观形状，以及降低切割所造成的钻石刀损耗成本等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1134074C | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN00132679.1 | 申请日期 | 2000.11.22 |
| 申请人 | 国联光电科技股份有限公司 | 发明人 | 黄荣义;钟长祥;陈泽澎 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/302 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种III族氮化物半导体发光组件的切割方法，其特征在于：它包括下列步骤：(a)、于芯片的正面或基板面沿切割线施以放电蚀刻；(b)、于该放电蚀刻面的背面进行劈裂剥离成晶粒。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||