发明名称 |
开管式碲镉汞外延材料热处理方法 |
摘要 |
本发明公开了一种开管式HgTe源碲镉汞外延材料热处理方法,热处理所需的稳定的汞蒸气压采用石墨盒的结构来提供,石墨盒也可通过改进液相外延的石墨舟来实现,开管工艺为材料的批量生产化提供了一种途径。用该工艺进行空穴导电型热处理的成功率达100%,材料在77K温度下的空穴浓度可在5×10<SUP>15</SUP>到5×10<SUP>16</SUP>cm<SUP>-3</SUP>范围内随意控制。同时,热处理过程中材料表面的位错不产生增值效应,材料的组分和表面形貌的完整性也得到了很好的保持。 |
申请公布号 |
CN1133761C |
申请公布日期 |
2004.01.07 |
申请号 |
CN01131924.0 |
申请日期 |
2001.10.16 |
申请人 |
中国科学院上海技术物理研究所 |
发明人 |
杨建荣;陈新强;黄根生;何力 |
分类号 |
C30B33/02;H01L21/324;H01L21/477;H01L31/00;H01L31/072 |
主分类号 |
C30B33/02 |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 |
代理人 |
郭英 |
主权项 |
1.一种开管式碲镉汞外延材料的热处理方法,其特征在于:a.将外延工艺获得的碲镉汞外延材料和热处理源HgTe粉末分别放在石墨盒体(101)中的有一槽(106)相通的材料腔体(104)和粉末腔体(105)内,然后用石墨盒盖(102)将二个腔体、一个槽盖住,把石墨盒(1)放置在开管式热处理系统中的石英管(2)内,在流动的惰性气体下,如氢气、氮气或氩气,在一定的温度下进行热处理;所说的石墨盒也包括推舟液相外延中使用的石墨舟上增设放置HgTe粉末腔体的石墨舟,这样当碲镉汞液相外延材料生长结束后,无需将材料取出,只需对HgTe粉末腔体加入HgTe粉末即可进行热处理,而且HgTe粉末既可在材料生长前加入,也可在材料生长结束后加入,差别仅在于两者在相同的热处理条件下,得到的材料的空穴载流子浓度有所不同;b.热处理温度在210℃到290℃范围内,使得碲镉汞外延材料在77K温度下的空穴载流子浓度相应调整在5×1015到5×1016cm-3之间。 |
地址 |
200083上海市玉田路500号 |