| 发明名称 | 存储单元系统 | ||
| 摘要 | 一个存储单元系统具有字线(WL)和垂直于字线伸展的位线(BL1、BL2)。具有磁阻效应的存储单元(S1、S2)是分别连接在字线和位线之一之间的。存储单元(S1、S2)是叠置地设在至少两个层中的。 | ||
| 申请公布号 | CN1134014C | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN98809905.5 | 申请日期 | 1998.09.28 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | S·施瓦兹尔;L·里施 |
| 分类号 | G11C11/15 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.存储单元系统，-其中，规定有多条相互平行伸展的字线和多条相互平行伸展的位线，其中，字线垂直于位线伸展，-其中，规定有磁阻效应的层结构的存储单元，这些存储单元是分别设在字线之一和位线之一之间的，-其中，存储单元是在至少两个相互叠置的层中设置的。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||