发明名称 |
光接收元件和具有光接收元件的光子半导体器件 |
摘要 |
一种光接收元件,具有形成于半导体衬底顶面一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管,并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极。高浓度杂质层沿着发光元件装配电极的围缘在半导体衬底顶面下形成。这有助于防止施加到发光元件装配电极的电压影响光接收元件的输出。可选地,一种光子半导体器件,具有发光元件和光接收元件,并且具有平行于发光元件发光方向而形成的光接收元件的光接收区域。发光元件的布置,使得当以平面图观看时,其发光点与光接收区域的至少一部分重叠。这允许容易地安装即使具有低发光点的发光元件,因此有助于减小光接收灵敏度的变化。 |
申请公布号 |
CN1466781A |
申请公布日期 |
2004.01.07 |
申请号 |
CN01816530.3 |
申请日期 |
2001.09.27 |
申请人 |
三洋电机株式会社;鸟取三洋电机株式会社 |
发明人 |
西村晋;本多正治;上山孝二 |
分类号 |
H01L31/103;H01L31/12;H01S5/026 |
主分类号 |
H01L31/103 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种光接收元件,具有形成于半导体衬底顶面的一部分以便起到光接收区域作用的光电二极管,并且具有在半导体衬底顶部不形成光接收区域的地方形成的发光元件装配电极,其中高浓度杂质层沿着发光元件装配电极的围缘在半导体衬底的顶面下形成。 |
地址 |
日本大阪府 |