Y方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法

摘要

一种Y方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法，此方法首先在一基底中形成一埋入式位线，之后在基底的表面形成一栅氧化层。接着以垂直于埋入式位线的方向于栅氧化层上形成一条状氮化硅层，再于栅氧化层与条状氮化硅层上形成图案化的一光阻层，并以此光阻层为一罩幕，进行一编码布植步骤，以形成数个编码存储单元。接着将光阻层移除之后，于栅氧化层与条状氮化硅层上形成一多晶硅层，并且回蚀刻此多晶硅层，直到条状氮化硅层暴露出来。最后再将条氮化硅层移除。

主权项

1、一种Y方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于：包括：在一基底中形成一埋入式位线；在该基底上形成一栅氧化层；以垂直于该埋入式位线的方向于该栅氧化层上形成一条状介电层；在该基底上形成图案化的一光阻层；以该光阻层为一罩幕，进行一编码布植步骤，以形成复数个编码存储单元；移除该光阻层；在该基底上形成一导电层；移除部分该导电层直到该条状介电层暴露出来；移除该条状介电层。