| 发明名称 | 埋入式位线的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种形成于一半导体组件的基底中的埋入式位线的结构及其制造方法，此结构包括一浅掺杂区，配置在基底中；以及一深掺杂区，配置在部分浅掺杂区底下的基底中，其中浅掺杂区与深掺杂区共同作为一埋入式位线。 | ||
| 申请公布号 | CN1466220A | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN02141627.3 | 申请日期 | 2002.09.06 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖俊仁;杨俊仪;陈世宪;张桂芬 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/768 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种形成于一半导体组件的基底中的埋入式位线的结构，其特征在于：包括：一浅掺杂区，配置在该基底中；一深掺杂区，配置在部分该浅掺杂区底下的该基底中，其中该浅掺杂区与该深掺杂区共同作为一埋入式位线。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||