锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法

摘要

一种锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法，在硅表面上用元素锗的预无定形注入，进行快速热退火，形成超浅的PN结与NP结，消除注入损伤带来的结漏电，步骤为，步骤1：在原始硅片上形成低掺杂的阱；步骤2：一次光刻，局部场氧化隔离，形成有源区；步骤3：锗重离子预无定形注入；步骤4：通过两次光刻分别进行二氟化硼和砷的低能注入各形成PN结与NP结；步骤5：低温侧墙氧化淀积，光刻和反应离子刻蚀刻蚀深源漏区；步骤6：深源漏区注入；步骤7：快速热退火。

主权项

1、一种锗预无定形注入结合低能注入形成超浅源漏延伸区的方法，在硅表面上，用元素锗的预无定形注入分别结合二氟化硼和砷的低能注入，再进行快速热退火，形成超浅的PN结与NP结，并选择工艺参数消除注入损伤带来的结漏电，其特征在于，该方法的具体步骤为：步骤1：在原始硅片上形成低掺杂的阱；步骤2：一次光刻，局部场氧化隔离，形成有源区；步骤3：锗重离子预无定形注入；步骤4：通过两次光刻分别进行二氟化硼和砷的低能注入各形成PN结与NP结；步骤5：低温热分解二氧化硅淀积，光刻和反应离子刻蚀深源漏区；步骤6：深源漏区注入；步骤7：快速热退火。