一种形成集成电路芯片的方法

摘要

形成同一芯片上包括两种不同NFET和/或两种不同PFET的集成电路芯片的方法，两种不同FET例如为厚和薄栅氧化物FET。DRAM阵列可以由厚氧化物FET构成，而逻辑电路可以由同一芯片上的薄氧化物FET构成。首先，在晶片上形成包括第一厚栅SiO₂层的栅叠层。该叠层包括栅氧化层上的掺杂多晶硅层、多晶硅层上的硅化物层及硅化物层的氮化物层。选择地去掉部分叠层，再暴露将要形成逻辑电路的晶片。在再暴露的晶片上形成较薄氧化层。接着，在较薄氧化层形成栅，并以该栅形成薄氧化物NFET和PFET。选择地硅化薄氧化物器件区后，由厚氧化物器件区中的叠层腐蚀栅。最后注入和扩散厚栅氧化物器件的源和漏区。

主权项

1.一种形成集成电路芯片的方法，所说方法包括以下步骤：(a)在半导体晶片上选择地形成栅叠层，所说叠层包括第一介质层，所说第一介质层有第一厚度，所述选择地形成栅叠层的步骤包括以下步骤： (1)在所说半导体晶片上形成所说第一介质层； (2)在所说第一介质层上形成层状导体，所述形成层状导体的步骤包括以下步骤：i)在所说第一介质层上形成一层多晶硅；及ii)在所说多晶硅层上形成硅化物层； (3)选择地去掉所说层状导体，再暴露选择区的所说第一介质层；及 (4)去掉暴露的所说第一介质层；(b)在所说半导体晶片上形成第二介质层，所说第二介质层有不同于所说第一厚度的第二厚度；(c)在所说第二介质层上至少形成一个第一栅；(d)选择地去掉所说栅叠层的某些部分以至少限定一个第二栅；(e)邻近所说第一栅形成导电区；及(f)邻近所说第二栅形成导电区。