具有伸张应变的信道层的场效晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种具有伸张应变的信道层的场效晶体管的制造方法，是于单晶硅基底上磊晶一伸张应变的信道层，其中伸张应变的信道层由将原子尺寸较硅小的元素导入单晶硅层中，以取代硅晶格中硅原子的位置而成。接着，于伸张应变的信道层上形成一栅极绝缘层，以及于栅极绝缘层上形成一栅极电极，之后于栅极电极两侧形成源极/漏极。

主权项

1.一种具有伸张应变的信道层的场效晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供一单晶硅基底；于该单晶硅基底上磊晶一伸张应变的信道层，其中该伸张应变的信道层由将原子尺寸较硅小的元素导入单晶硅层中，以取代硅晶格中硅原子的位置而成，即伸张应变的信道层由硅及原子尺寸较硅小的元素两者所构成；于该伸张应变的信道层上形成一栅极绝缘层；于该栅极绝缘层上形成一栅极电极；以及于该栅极电极两侧形成一源极/漏极。