| 发明名称 | 在衬底上制备空气桥的方法 | ||
| 摘要 | 一种在衬底上制备空气桥的方法，包括如下步骤：(1)在衬底上涂两层光刻胶；(2)在上层光刻胶上曝光、显影，获得桥模图形；(3)对下层刻蚀和氯苯浸泡，将上层的桥模图形转移到下层；(4)泛曝光、显影去除剩余的上层胶；(5)在已形成桥模的衬底上，涂薄聚甲基丙烯酸甲酯－顺丁烯二酐光刻胶光刻胶和厚正胶；经曝光、反转显影使普通正性光刻胶形成布线图形，等离子刻蚀去除布线图形窗口内的聚甲基丙烯酸甲酯－顺丁烯二酐光刻胶；(6)蒸发金属、剥离后形成空气桥布线金属。 | ||
| 申请公布号 | CN1466189A | 申请公布日期 | 2004.01.07 |
| 申请号 | CN02141340.1 | 申请日期 | 2002.07.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 刘训春;李无暇;王润海;罗明雄 |
| 分类号 | H01L21/768;H01L21/027;H01L21/3205;H01L21/321 | 主分类号 | H01L21/768 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种在衬底上制备空气桥的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在衬底上涂两层光刻胶；(2)在上层光刻胶上曝光、显影，获得桥模图形；(3)对下层刻蚀和氯苯浸泡，将上层的桥模图形转移到下层；(4)泛曝光、显影去除剩余的上层胶；(5)在已形成桥模的衬底上，涂薄聚甲基丙烯酸甲酯-顺丁烯二酐光刻胶光刻胶和厚正胶；经曝光、反转显影使普通正性光刻胶形成布线图形，等离子刻蚀去除布线图形窗口内的聚甲基丙烯酸甲酯-顺丁烯二酐光刻胶；(6)蒸发金属、剥离后形成空气桥布线金属。 | ||
| 地址 | 100029北京市德胜门外祁家豁子 | ||