具有应变膜之载矽装置及用于形成应变膜之方法

摘要

一种具有应变膜(14)之载矽装置，包括基板(10)以及在该基板(10)上之埋藏氧化物层(12)。矽岛(18)系形成于该埋藏氧化物层(12)上，并且藉由沟渠(16)而将该矽岛(18)彼此隔开，该埋藏氧化物层(12)具有在该沟渠(16)正下方之凹处(22)，材料(24)填补该凹处(22)与该沟渠(16)，此材料(24)与形成于该埋藏氧化物层(12)材料不同，该材料(24)系导入净应变量于该矽岛(18)中，藉此修正在该应变膜(14)中之载子的电性并且改善装置性能。