形成阻障层的方法与结构

摘要

一种形成阻障层的方法，首先在一晶圆之一金属层上方制作完成一双镶嵌结构，其中双镶嵌结构包含一第一介电层与一第二介电层，第一介电层中包含一孔洞，第二介电层中包含一沟槽，接着形成一第一钽金属层在该双镶嵌结构上方，然后形成一氮化钽层在第一钽金属层上，将第一介电层内之孔洞底部上方之氮化钽层以一离子溅击方式去除，而被击出之氮化钽层中之钽原子将沉积至第一介电层内之孔洞之侧壁，最后在该氮化钽层上方形成一第二钽金属层，其中在第一介电层内孔洞之底部上方仅存第一钽金属层与第二钽金属层，制作完成后的阻障层将在第一介电层内之孔洞底部具有较低的电阻率与完全阻挡铜金属原子扩散至介电层的能力。