发明名称 制造在介电层中电容器之方法
摘要 本发明揭示一种在一第一介电层(20)中制造一电容器(92)之方法中,会在该第一介电层(20)之一表面(22)内形成一凹处(40)。在该第一介电层(20)之该表面(22)上与该凹处(40)内,会形成一第一导电层(60)。在该第一导电层(60)上会形成一第二介电层(70),该第一导电层(60)之厚度与该凹处(40)内该第二介电层(70)之厚度的总和会小于该凹处(40)之深度。一第二导电层(80)会形成于该第二介电层(70)上。藉由平坦化以此方式形成之层结构以获得该电容器。
申请公布号 TW200400592 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW092101584 申请日期 2003.01.24
申请人 亿恒科技公司 发明人 克劳斯 高乐
分类号 H01L21/822 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 德国