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发明名称
制造在介电层中电容器之方法
摘要
本发明揭示一种在一第一介电层(20)中制造一电容器(92)之方法中,会在该第一介电层(20)之一表面(22)内形成一凹处(40)。在该第一介电层(20)之该表面(22)上与该凹处(40)内,会形成一第一导电层(60)。在该第一导电层(60)上会形成一第二介电层(70),该第一导电层(60)之厚度与该凹处(40)内该第二介电层(70)之厚度的总和会小于该凹处(40)之深度。一第二导电层(80)会形成于该第二介电层(70)上。藉由平坦化以此方式形成之层结构以获得该电容器。
申请公布号
TW200400592
申请公布日期
2004.01.01
申请号
TW092101584
申请日期
2003.01.24
申请人
亿恒科技公司
发明人
克劳斯 高乐
分类号
H01L21/822
主分类号
H01L21/822
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
德国
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