发明名称 低K値介电层之形成Forming Low K Dielectric Layers
摘要 一种低K值介电层系经由沉积未固化介电层于基板上形成,该介电层包括矽、碳及氧。介电层表面曝露于活化气体而于介电层表面上形成半透性皮层。然后让介电层硬化而让介电层至少部分变成多孔性。
申请公布号 TW200400589 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW091133869 申请日期 2002.11.20
申请人 佳康控股限公司 发明人 约翰 马希尼尔;萨杰德 伊夏;赫维 葛理斯;卡希理尼 吉理斯
分类号 H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 英国