发明名称 |
低K値介电层之形成Forming Low K Dielectric Layers |
摘要 |
一种低K值介电层系经由沉积未固化介电层于基板上形成,该介电层包括矽、碳及氧。介电层表面曝露于活化气体而于介电层表面上形成半透性皮层。然后让介电层硬化而让介电层至少部分变成多孔性。 |
申请公布号 |
TW200400589 |
申请公布日期 |
2004.01.01 |
申请号 |
TW091133869 |
申请日期 |
2002.11.20 |
申请人 |
佳康控股限公司 |
发明人 |
约翰 马希尼尔;萨杰德 伊夏;赫维 葛理斯;卡希理尼 吉理斯 |
分类号 |
H01L21/762 |
主分类号 |
H01L21/762 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
英国 |