可控制临限电压値之电晶体,及制造并使用该电晶体之方法

摘要

于一个例示之实施例中，本方法包括提供SOI榇底，该榇底包含有作用层、埋置之绝缘层和块体榇底，该作用层掺杂了第一型之掺杂材料，该块体榇底具有形成在其中而邻接于块体榇底之表面并位于作用层下方之内井，该内井掺杂了第一型之掺杂材料；在SOI榇底之上于内井的上方区域形成电晶体；以及施加电压至内井以改变该电晶体之临限电压。于一些实施例中，本方法进一步包括形成NMOS电晶体，其中作用层和内井掺杂了P型掺杂材料。于其他的实施例中，本方法进一步包括形成PMOS电晶体，其中作用层和内井系掺杂了N型掺杂材料。于另一个例示之实施例中，本方法包括提供一个包含至少一个积体电路产品之消费者产品，该积体电路产品包含至少一个形成于SOI榇底之作用层中之电晶体，该SOI榇底进一步包括形成邻接于SOI榇底之块体榇底之表面的内井，该内井形成于作用层之下方，该作用层和内井掺杂了第一型之掺杂材料；感测该积体电路产品之作用层；以及施加某一大小和极性之电压至至少一个电晶体之内井，该施加之电压的大小和极性系根据积体电路产品之感测之活动位准而决定。