使用间隔体沈积技术界定电路元件尺寸之方法

摘要

藉由使用知的间隔体及蚀刻技术，微结构元件，诸如积体电路之线条及接触开孔，可以形成主要由该间隔体层之层膜厚度所决定之尺寸。在牺牲层中，开孔藉由标准的微影及蚀刻技术而形成，并且接着，将间隔体层符合地沉积，其中在该开孔之侧壁处之该间隔体层之厚度基本上决定欲形成之微结构元件之有效的宽度。藉由使用标准的193奈米微影及蚀刻技术，在不需要大幅改变标准制程方法下可以获得50奈米及更小之闸极电极。