发明名称 具有超频方式位元线感测放大器之半导体记忆装置
摘要 本发明系一种半导体记忆装置,其系资料读取后,藉由超频电压使得电位放大之位元线,以及与该位元线为互补之位元线之平衡动作时,将超频电压过度充电之电荷利用放电电路(35)于接地电位放电,并以放电电路放电期间之调整,调整位元线平衡电位。
申请公布号 TW200400510 申请公布日期 2004.01.01
申请号 TW092102233 申请日期 2003.01.30
申请人 东芝股份有限公司;富士通股份有限公司 发明人 和田政春;土田贤二;稻场恒夫;池田稔美
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本