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发明名称
具有超频方式位元线感测放大器之半导体记忆装置
摘要
本发明系一种半导体记忆装置,其系资料读取后,藉由超频电压使得电位放大之位元线,以及与该位元线为互补之位元线之平衡动作时,将超频电压过度充电之电荷利用放电电路(35)于接地电位放电,并以放电电路放电期间之调整,调整位元线平衡电位。
申请公布号
TW200400510
申请公布日期
2004.01.01
申请号
TW092102233
申请日期
2003.01.30
申请人
东芝股份有限公司;富士通股份有限公司
发明人
和田政春;土田贤二;稻场恒夫;池田稔美
分类号
G11C11/34
主分类号
G11C11/34
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
日本
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