| 主权项 |
1.一种从至少以下各项制备之含氟聚合物:(A)一分隔基,其选自由乙烯、-烯烃、1,1'-二取代烯烃、乙烯醇、乙烯醚及1,3-二烯所组成之群;及(B)一重复单元,其衍生自具有以下结构之单体:其中各R1.R2.R3及R4独立为氢、卤素原子、含1至10个碳原子之烃基、经取代烃基、烷氧基、羧酸、羧酸酯或含以下结构之官能基:-C(Rf)(Rf')ORb其中Rf及Rf'为1至10个碳原子之相同或相异氟烷基,或一起而成为(CF2)n,其中n为2至10,且Rb为氢原子或一酸或硷不稳定保护基;r为0-4;至少一个重复单元(B)具有一种结构,藉以R1.R2.R3,及R4中至少一个包含结构C(Rf)(Rf')ORb。2.根据申请专利范围第1项之含氟聚合物,其中在157奈米处之吸收系数低于4微米-1。3.根据申请专利范围第1项之含氟聚合物,其中在157奈米处之吸收系数低于3.5微米-1。4.根据申请专利范围第1项之含氟聚合物,其中Rf及Rf'系独立为1至5个碳原子之全氟烷基。5.根据申请专利范围第4项之含氟聚合物,其中Rf及Rf'为三氟甲基。6.根据申请专利范围第1项之含氟聚合物,其中分隔基系选自由乙烯、丙烯、异丁烯、乙基乙烯基醚及丁二烯所组成之群。7.一种光阻剂组合物,包括(a)一种从至少比下各项所制备之含氧聚合物:(A)一分隔基,其选自由乙烯、-烯烃、1,1'-二取代烯烃、乙烯醇、乙烯醚及1,3-二烯所组成之群;及(B)一重复单元,其衍生自具有以下结构之单体:其中各R1.R2.R3及R4独立为氢、卤素原子、含1至10个碳原子之烃基、经取代烃基、烷氧基、羧酸、羧酸酯或含以下结构之官能基:-C(Rf)(Rf')ORb其中Rf及Rf'为1至10个碳原子之相同或相异氟烷基,或一起而成为(CF2)n,其中n为2至10,且Rb为氢原子或一酸或硷不稳定保护基;r为0-4;至少一个重复单元(B)具有一种结构,藉以R1.R2.R3及R4中至少一个包含结构C(Rf)(Rf')ORb,及(b)至少一光活性组份,其中该含氟聚合物在波长157奈米之吸收系数低于4.0微米-1。8.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,其中在157奈米处之吸收系数低于3.5微米-1。9.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,其中在157奈米处之吸收系数低于3.0微米-1。10.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,其中Rf及Rf'系独立为1至5个碳原子之全氟烷基。11.根据申请专利范围第10项之光阻剂组合物,其中Rf及Rf'为三氟甲基。12.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,其中分隔基系选自由乙烯、丙烯、异丁烯、乙基乙烯基醚及丁二烯所组成之群。13.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,其中该含氟醇基单体系选自由以下各物所组成之群:14.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,尚包括一溶剂。15.根据申请专利范围第14项之光阻剂组合物,其中该溶剂系选自由以下各物所组成之群:三氯苯、甲醇、1,1,2,2-四氯乙烷-d2.乙醚、对二甲苯及2-庚酮。16.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,其中该光活性组份系化学键结于含氟聚合物。17.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,其中该光活性组份并非化学键结于含氟聚合物。18.根据申请专利范围第7项之光阻剂组合物,尚包括一溶解抑制剂。19.一种在基材上制备光阻剂影像之方法,依序包括:(X)将光阻剂层全影像曝光而形成成像区及非成像区;其中光阻剂层系从包括以下各项之光阻剂组合物制备:(a)一种从至少以下各项所制备之含氟聚合物:(A)一分隔基,其选自由乙烯、-烯烃、1,1'-二取代烯烃、乙烯醇、乙烯醚及1,3-二烯所组成之群;及(B)一重复单元,其衍生自具有以下结构之单体:其中各R1.R2.R3及R4独立为氢、卤素原子、含1至10个碳原子之烃基、经取代烃基、烷氧基、羧酸、羧酸酯或含以下结构之官能基:-C(Rf)(Rf')ORb其中Rf及Rf'为1至10个碳原子之相同或相异氟烷基,或一起而成为(CF2)n,其中n为2至10,且Rb为氢原子或一酸或硷不稳定保护基;r为0-4;至少一个重复单元(B)具有一种结构,藉以R1.R2.R3及R4中至少一个包含结构C(Rf)(Rf')ORb;(b)至少一种光活性组份,其中该含氟聚合物在波长157奈米之吸收系数低于4.0微米-1;及(Y)将具有成像区及非成像区之曝光光阻剂层显影,而于基材上形成浮凸影像。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该含氟聚合物在157奈米处之吸收系数低于3.5微米-1。21.根据申请专利范围第19项之方法,其中在157奈米处之吸收系数低于3.0微米-1。22.根据申请专利范围第19项之方法,其中该光活性组份系化学键结于含氟聚合物。23.根据申请专利范围第19项之方法,其中该光活性组份并非化学键结于含氟聚合。24.根据申请专利范围第19项之方法,其中该显影步骤低于约5秒。25.根据申请专利范围第19项之方法,尚包括一溶剂。26.根据申请专利范围第25项之方法,其中该溶剂系选自由以下各物所组成之群:三氯苯、甲醇、1,1,2,2-四氯乙烷-d2.乙醚、对二甲苯及2-庚酮。27.一种共聚物,由衍生自乙烯及至少一种以下结构之单体之重复单元组成:其中各R1.R2.R3来R4独立为氢、卤素原子、含1至10个碳原子之烃基、经取代烃基、烷氧基、羧酸、羧酸酯或含以下结构之官能基:-C(Rf)(Rf')ORb其中Rf及Rf'为1至10个碳原子之相同或相异氟烷基,或一起而成为(CF2)n,其中n为2至约10,且Rb为氢原子或一酸或硷不稳定保护基;r为0-4;至少一个重复单元(B)具有一种结构,藉以R1.R2.R3及R4中至少一个包含结构C(Rf)(Rf')ORb;且其中该共聚物包括每1000个亚甲基至少5个甲基末端分枝。28.根据申请专利范围第27项之共聚物,包括每1000个亚甲基至少10个甲基末端分枝。29.根据申请专利范围第27项之聚合物,其中该单体系选自由以下各物所组成之群:30.根据申请专利范围第27项之共聚物,其中该共聚物中存在至少1莫耳%衍生自至少一种单体之重复单位。31.根据申请专利范围第27项之共聚物,其中该共聚物中亦存在衍生自至少一种额外单体之重复单元。32.一种制造根据申请专利范围第1项之含氟聚合物之方法,包括在聚合环境下,包括接触-烯烃之分隔基与重复单元及触媒量过渡金属触媒而形成含氟聚合物。33.根据申请专利范围第31项之共聚物,其中该烯烃为乙烯,过渡金属触媒包括镍,且聚合环境包括温度低于200℃。 |
