| 主权项 |
1.一种积层薄膜,其系包括一铝层(A)、一线型低密度聚乙烯层(B)、至少一基质层(C)及至少一聚乙烯层(D);该层(B)系藉由挤押积层法而叠置于层(A)之一边上;该层(B)是用二茂络金属烯烃聚合触媒制成,并具有(i)0.895至0.930克/立方厘米之密度(d;依ASTM D 1505量测)和(ii)0.1至100克/10分钟之熔体流率(MFR;依ASTM D 1238在190℃于2.16公斤负载下量测),当该积层膜之表面层系由层(B)所构成时,其中在层(B)之表面上所显示出线型低密度聚乙烯之氧浓度系在1.0至1.4原子%之范围内。2.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中构成线型低密度聚乙烯层(B)之线型低密度聚乙烯为一种由乙烯/-烯烃所成之共聚物,具有(iii)在190℃所测得熔体流率(MFR,克/10分钟)和熔体张力(MT,克)满足下列关系式MT>2.0MFR-0.84;(iv)流性指数(FI,1/秒),被界定为熔融聚合物在190℃之剪应力达到2.4106达因/平方厘米时所显示之剪切速率,流性指数与熔体流率(MFR,克/10分钟)须满足如下之关系式:FI>75MFR;(v)在23℃量得之正癸烷可溶量(W, 重量%),此正癸烷可溶量与密度(d,克/立方厘米)满足如下关系式:若MFR≦10克/10分钟W<80exp(-100(d-0.88))+0.1,和若MFR>10克/10分钟时W < 80(MFR - 9)0.26exp(-100(d - 0.88)) + 0.1;和(vi)用差示扫描热量计所得吸热曲线之最高峰所显示温度(Tm,℃),此温度与密度(d,克/立方厘米)满足如下关系式:Tm<400d-250。3.如申请专利范围第2项之积层薄膜,其中:(iii)在190℃所测得熔体流率(MFR,克/10分钟)和熔体张力(MT,克)满足下列关系式:MT>2.0MFR-0.84;4.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中层(C)系叠置于远离层(B)之层(A)之一相对面上。5.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中层(D)和层(C)系依序叠置于远离层(B)之层(A)之一相对面上。6.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中第一层(D)和层(C)系依此次序叠置于远离层(B)之层(A)的相对面上,且其中第二层(D)系叠置于此层(B)之上。7.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中第一层(C)、层(D)和第二层(C)系依此顺序叠置远离层(A)之一相对面上。8.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中层(A)是铝箔或铝蒸汽淀积之薄膜。9.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中层(C)是由纸、聚醯胺膜、聚酯膜或聚丙烯膜所构成。10.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中层(D)是由高压处理低密度聚乙烯、线型低密度聚乙烯、或其混合物所构成者。11.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其系进一步包括一泊定涂布层。12.如申请专利范围第1项之积层薄膜,其中之聚酯膜系对酸乙二酯(PET)、聚对酸/异酸乙二酯、及聚对酸丁二酯。13.如申请专利范围第1到12项中任一项之积层薄膜,其包括依序为纸层(C)、层(D)、层(A)、层(B)泊定涂布层及层(C)之各层。14.如申请专利范围第1到12项中任一项之积层薄膜,其系包括依序为纸层(C)、层(D)、层(A)、层(B)泊定涂布层及PET层之各层。 |
