| 主权项 |
1.一种含钛之矽氧化物触媒之制造方法,系满足下述(1)-(4)之所有条件之含钛之矽氧化物触媒之制造方法,含有下述第一步骤及第二步骤之制造方法,(1)平均细孔径为10以上(2)全部细孔容量之90%以上需具有5-200之细孔径(3)比细孔容量需为0.2cm3/g(4)需为采用以下述一般式(I)[NR1R2R3R4]+ (I)(式内,R1表示碳数2-36之直链状或支链状的烃基,R2-R4表示碳数1-6之烷基)表示的第四铵离子为成型剂,其后去除该成型剂而得者;第一步骤:藉由以液状混合、搅拌矽氧源、钛源及成型剂之四级铵离子而得含有触媒成分及成型剂之固体的步骤,制备混合物中的硷金属之量系在下式(II)或(III)硷金属/钛≦3(mol/mol) (II)硷金属/[NR1R2R3R4]+≦0.3(mol/mol) (Ⅲ)第二步骤:由以第一步骤而得的固体去除成型剂之步骤。2.如申请专利范围第1项之触媒之制造方法,其中成型剂去除步骤系藉由溶剂萃取操作予以进行。3.如申请专利范围第1项之触媒之制造方法,系再具有下述第三步骤:对于第二步骤而得的固体施行矽烷基化处理,而得经予矽烷基化的触媒。4.如申请专利范围第1项之触媒之制造方法,系再具有下述第四步骤:将第二步骤而得的萃取液所含成型剂予以回收至第一步骤并再使用。 |
