| 主权项 |
1.一种有机矽毫微簇聚物之制造方法,其系于有机溶剂中存在硷金属或硷土类金属之情形下,使四卤化矽烷与有机卤化物起反应而制得者(又,此有机矽毫微簇聚物系指,具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。2.一种矽薄膜,其系使用具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)之有机矽毫微簇聚物为先驱物者;SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。3.一种矽薄膜之制造方法,其系于不与氧起反应之条件下,对具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)之有机矽毫微簇聚物进行200~1500℃之加热处理;SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。4.如申请专利范围第3项之矽薄膜的制造方法,其系于还原性环境下对具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)之有机矽毫微簇聚物进行200~1500℃之加热处理;SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。5.一种氧化矽薄膜之制造方法,其系于与氧起反应之条件下,对具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)之有机矽毫微簇聚物进行200~1500℃之加热处理;SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。6.如申请专利范围第2项之矽薄膜,其系用于电子装置。7.一种氧化矽薄膜,其系使用具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)之有机矽毫微簇聚物为先驱物者;SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。8.如申请专利范围第7项之矽氧化膜者,其系用于电子装置。9.一种有机矽毫微簇聚物,其系于有机溶剂中存在硷金属或硷土类金属下,使四卤化矽烷与有机卤化物起反应后,再以氢氟酸处理所得者(又,此有机矽毫微簇聚物系指,具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。10.一种有机矽毫微簇聚物的制造方法,其系于存在硷金属或硷土类金属之情形下,使四卤化矽烷与有机卤化物起反应后,再以氢氟酸处理者(又,此有机矽毫微簇聚物系指,具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。11.一种矽薄膜之制造方法,其系于不与氧起反应之条件下,对如申请专利范围第9项之有机矽毫微簇聚物进行200~1500℃之加热处理(又,此有机矽毫微簇聚物系指,具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0,3x≦z≦30x、a≦5x)。12.一种矽薄膜之制造方法,其系于还原性环境下,对如申请专利范围第9项之有机矽毫微簇聚物进行200~1500℃之加热处理(又,此有机矽毫微簇聚物系指,具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。13.一种有机矽毫微簇聚物,其系为具有(Si)4-Si键结及Si-R(R:碳数为1以上之有机基)键结之有机溶剂可溶性的化合物(又,此有机矽毫微簇聚物系指,具有式1之组成,且可溶于有机溶剂、且由此溶液之Tauc图表所求取之带隙为3eV至1.2eV的有机矽化合物)SixCyHzOa …… (式1)(其中,y、z、a对x分别为,0.1x≦y≦10x、0.3x≦z≦30x、a≦5x)。14.如申请专利范围第11项之矽薄膜之制造方法所制得之矽薄膜,其系用于电子装置。图式简单说明:图1为,合成后有机矽毫微簇聚物之CP/MAS29SiNMR光谱。图2为,合成后有机矽毫微簇聚物之GPC溶出曲线。图3为,合成后有机矽毫微簇聚物之可视紫外吸收光谱。图4为,n-型矽基板-非晶质矽薄膜之电压电流特性。图5为,形成于矽晶圆上之铝2层配线的剖面模式图。图6为,合成后有机矽毫微簇聚物之FT-IR光谱。其中,a为不经氟氟酸处理,b为经氢氟酸处理。图7为,合成后有机矽毫微簇聚物之1H-NMR光谱。其中,a为不经氢氟酸处理,b为经氢氟酸处理。图8为,合成后有机矽毫微簇聚物之XPS光谱。其中,a为不经氢氟酸处理,b为经氢氟酸处理。图9为,使用合成后有机矽毫微簇聚物所形成之薄膜的可视紫外吸收光谱。其中,a为使用不经氢氟酸处理之物,b为使用经氢氟酸处理之物。图10为,使用合成后有机矽毫微簇聚物所形成之薄膜的加热温度及光学性带隙之展示图。图11为,n-型矽基板一p-型非晶质矽薄膜接合面之电压电流曲线的展示图。 |
