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1.一种具有凸块之晶圆级封装构造,其包含:一第一晶片,具有一半导体微元件、一接垫环环绕该半导体微元件、及复数个接垫,位于该接垫环外侧,与该半导体微元件电性连接,并可用以与一外部电路电气连接;一第二晶片具有一接垫环,和第一晶片上之接垫环相对应;以及一凸块环设置于该第一晶片之该接垫环与该第二晶片之该接垫环之间,用以结合该第一及第二晶片,以形成一密闭空腔(hermetical cavity)。2.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该第一晶片上具一护层覆盖到接垫环及接垫之顶部边缘,而只留下其中间表面部分裸露于护层。3.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该第一晶片及该第二晶片之该接垫环,系为铝接垫环。4.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该第一晶片及该第二晶片之该接垫环上另具一凸块下金属层,该凸块下金属层包含一黏附层、一阻障层及一接合层。5.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该第二晶片上具一护层覆盖到接垫环之顶部边缘,而只留下其中间表面部分裸露于护层。6.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该第一及第二晶片系由有机基板、BT基板、及玻璃基板所构成之群组中选出。7.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该第一及第二晶片之材料系为单晶矽。8.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该半导体微元件系由积体电路、微机械元件、移动元件(moving part)及感测器所构成之群组中选出。9.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该凸块环系为金凸块(gold bump)环。10.依申请专利范围第1项之具有凸块之晶圆级封装构造,其中该凸块环系为焊锡凸块(solder bump)环。11.一种制造具密闭空腔之晶圆级(wafer level)封装构造之方法,其包含下列步骤:提供一第一基板,其包含复数个第一晶片,相邻晶片间以切割道相隔,每一该晶片皆设有一接垫环及复数个接垫位于该接垫环之外侧;形成凸块下金属层于该第一基板之该接垫环上;形成一凸块环于该每一晶片之该接垫环上;提供一第二基板,具有切割道与该第一基板之切割道相对应,并且具有复数个接垫环,和第一基板之复数个接垫环镜面对应;形成凸块下金属层于该第二基板之该复数个接垫环上;对齐且结合该第一基板及该第二基板,使得该第一基板之复数个凸块环分别对应地连接至该第二基板之该复数个接垫环,且于该第一基板与该第二基板间形成复数个密闭空腔;以及沿该第一及该第二基板之切割道,分别切割该第一及第二基板,以形成个别之该封装构造。12.依申请专利范围第11项之方法,其中该第一晶片上具一护层覆盖到接垫环及接垫之顶部边缘,而只留下其中间表面部分裸露于护层。13.依申请专利范围第11项之方法,其中该第一基板及该第二基板之该接垫环,系为铝接垫环。14.依申请专利范围第11项之方法,其中该第一基板及该第二基板之该凸块下金属层包含一黏附层、一阻障层及一接合层。15.依申请专利范围第11项之方法,其中该第二基板上具一护层覆盖到接垫环之顶部边缘,而只留下其中间表面部分裸露于护层。16.依申请专利范围第11项之方法,其中该第二基板系由有机基板、BT基板、及玻璃基板所构成之群组中选出。17.依申请专利范围第11项之方法,其中该第一及第二基板之材料系为单晶矽。18.依申请专利范围第11项之方法,其中该第一晶片另具有一半导体微元件,其系由积体电路、微机械元件、移动元件(moving part)及感测器所构成之群组中选出。19.依申请专利范围第11项之方法,其中该金凸块环系以电镀方式加工。20.依申请专利范围第11项之方法,其中该凸块环系为金凸块(gold bump)环。21.依申请专利范围第11项之方法,其中该凸块环系为焊锡凸块(solder bump)环。图式简单说明:第1a图及第1b图:其系用以说明先前技术之矽熔接晶圆结合方式之示意图。第2图:其系用以说明先前技术之阳极键结晶圆结合方式之示意图。第3图:其系用以说明先前技术之中介层键结晶圆结合方式之示意图。第4图:为根据本发明较佳实施例之具有凸块之晶圆级封装构造之剖面示意图。第5图至第8图:其系用以说明根据本发明较佳实施例之具有凸块之晶圆级封装构造制造方法。 |
