| 主权项 |
1.一种闸介电层的制作方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;进行热氧化制程,于该半导体基底表面上长成一氧化层,其中该氧化层之中心处较薄、周边处较厚;以及进行电浆氮化制程,于该氧化层表面上形成一氮化层,其中该氮化层之中心处较厚、周边处较薄。2.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制作方法,其中热氧化制程系于传统之分批式熔炉中进行。3.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的温度范围为250℃~900℃。4.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的压力范围为1 mTorr~10 Torr。5.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的气体的流量范围为100 sccm~10slm。6.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的电浆产生器的功率范围为500W~3000W。7.如申请专利范围第1项所述之闸介电层的制作方法,其中该氧化层系为氧化矽材质,该氮化层系为氮化矽材质。8.一种闸介电层的制作方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;进行电浆氮化制程,于该半导体基底表面上形成一氮化层,其中该氮化层之中心处较厚、周边处较薄;以及进行热氧化制程,于该氮化层表面上长成一氧化层,其中该氧化层之中心处较薄、周边处较厚。9.如申请专利范围第5项所述之闸介电层的制作方法,其中该氮化层之周边处的氮含量较多、中心处的氮含量较少。10.如申请专利范围第5项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的温度范围为250℃~900℃。11.如申请专利范围第5项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的压力范围为1 mTorr~10 Torr。12.如申请专利范围第5项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的气体的流量范围为100 sccm~10 lm。13.如申请专利范围第5项所述之闸介电层的制作方法,其中电浆氮化制程的电浆产生器的功率范围为500W~3000W。14.如申请专利范围第5项所述之闸介电层的制作方法,其中该热氧化制程系于传统之分批式熔炉中进行。15.如申请专利范围第5项所述之闸介电层的制作方法,其中该氧化层系为氧化矽材质,该氮化层系为氮化矽材质。图式简单说明:第1A至1B图,其显示本发明第一实施例之闸介电层的制作方法的剖面示意图。第2A至2B图,其显示本发明第二实施例之闸介电层的制作方法的剖面示意图。 |
