| 主权项 |
1.一种在系统上可程式化及离系统可程式化之晶片,包括:控制电路;离系统可程式化非挥发性记忆体,连接该控制电路,该离系统可程式化非挥发性记忆体仅在连接该晶片外部之烧录电压时始能被程式化;在系统上可程式化非挥发性记忆体,连接该控制电路,该在系统上可程式化非挥发性记忆体可在该控制电路控制下被程式化;升压电路,连接该在系统上可程式化非挥发性记忆体,俾在程式化该在系统上可程式化非挥发性记忆体时供应烧录电压;挥发性记忆体,连接该控制电路;及输入/输出单元,连接该控制电路。2.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体包括一次烧录记忆体阵列。3.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体包括可多次烧录记忆体阵列。4.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体包括可电抹写记忆体阵列。5.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体包括快闪记忆体阵列。6.如申请专利范围第1项之晶片,其中该在系统上可程式化非挥发性记忆体包括可电抹写记忆体阵列。7.如申请专利范围第1项之晶片,其中该在系统上可程式化非挥发性记忆体包括快闪记忆体阵列。8.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体及在系统上可程式化非挥发性记忆体系彼此分离者。9.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体及在系统上可程式化非挥发性记忆体系从一记忆体区块中分割形成者。10.如申请专利范围第9项之晶片,更包括一开关连接该在系统上可程式化非挥发性记忆体至该升压电路。11.如申请专利范围第10项之晶片,其中该开关系熔丝。12.如申请专利范围第10项之晶片,其中该开关系程式化电路。13.如申请专利范围第10项之晶片,其中该开关连接至该控制电路,藉以决定该离系统可程式化非挥发性记忆体及在系统上可程式化非挥发性记忆体之分配。14.如申请专利范围第1项之晶片,其中该挥发性记忆体系静态随机存取记忆体。15.如申请专利范围第7项之晶片,更包括状态机连接该在系统上可程式化非挥发性记忆体以防止其被过度抹写。16.如申请专利范围第7项之晶片,其中该快闪记忆体阵列含有许多记忆胞,每一该记亿胞包含一快闪胞串联一MOS电晶体,该MOS电晶体防止该快闪胞被过度抹写。17.如申请专利范围第7项之晶片,其中该控制电路执行一状态机程式以防止该在系统上可程式化非挥发性记忆体被过度抹写。18.如申请专利范围第17项之晶片,其中该状态机程式系预先被烧录在该离系统可程式化非挥发性记忆体中。19.如申请专利范围第17项之晶片,其中该状态机程式系储存在该挥发性记忆体中。20.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体具有第一容量,该在系统上可程式化非挥发性记忆体具有第二容量小于该第一容量。21.如申请专利范围第1项之晶片,其中该在系统上可程式化非挥发性记忆体包含许多烧录单位。22.如申请专利范围第21项之晶片,其中每一该烧录单位为一记忆胞。23.如申请专利范围第21项之晶片,其中每一该烧录单位为一位元。24.如申请专利范围第21项之晶片,其中每一该烧录单位为一位元组。25.如申请专利范围第21项之晶片,其中每一该烧录单位为一字元。26.如申请专利范围第6项之晶片,其中该控制电路藉该输入/输出单元读入欲修改的内容烧录至该在系统上可程式化非挥发性记忆体。27.如申请专利范围第7项之晶片,其中该控制电路从该在系统上可程式化非挥发性记忆体读取内容并储存至该挥发性记二忆体,修改该内容的一部份后烧录至该在系统上可程式化非挥发性记忆体。28.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体包含该控制电路的程式。29.如申请专利范围第1项之晶片,其中该离系统可程式化非挥发性记忆体包含该控制电路操作该在系统上可程式化非挥发性记忆体程式化之程序控制指令。30.如申请专利范围第1项之晶片,其中该在系统上可程式化非挥发性记忆体系在操作模式下可被烧录。31.如申请专利范围第1项之晶片,其中该在系统上可程式化非挥发性记忆体包含资料码。32.一种在系统上程式化晶片的方法,该晶片含有控制电路连接离系统可程式化非挥发性记忆体及在系统上可程式化非挥发性记忆体,升压电路连接该在系统上可程式化非挥发性记忆体,以及挥发性记忆体及输入/输出单元连接该控制电路,该在系统上可程式化非挥发性记忆体含有快闪记忆体阵列,该方法包括下列步骤:从该离系统可程式化非挥发性记忆体读取程式码以操作该控制电路;从该在系统上可程式化非挥发性记忆体读取内容并储存至该挥发性记忆体;修改该内容的一部份;及将修改后的内容烧录至该在系统上可程式化非挥发性记忆体。33.如申请专利范围第32项的方法,更包括操作一状态机以防止该在系统上可程式化非挥发性记忆体被过度抹写。34.如申请专利范围第32项的方法,更包括执行一状态机程式以防止该在系统上可程式化非挥发性记忆体被过度抹写。35.如申请专利范围第32项的方法,更包括从该离系统可程式化非挥发性记忆体读取烧录程序以操作烧录该在系统上可程式化非挥发性记忆体。36.如申请专利范围第32项的方法,更包括切换该晶片至操作模式。37.一种在系统上程式化晶片的方法,该晶片含有控制电路连接离系统可程式化非挥发性记忆体及在系统上可程式化非挥发性记忆体,升压电路连接该在系统上可程式化非挥发性记忆体,以及挥发性记忆体及输入/输出单元连接该控制电路,该在系统上可程式化非挥发性记忆体含有可电抹写记忆体阵列,该方法包括下列步骤:从该离系统可程式化非挥发性记忆体读取程式码以操作该控制电路;藉该输入/输出单元读入欲修改的内容;及将该欲修改的内容烧录至该在系统上可程式化非挥发性记忆体。38.如申请专利范围第37项的方法,更包括从该离系统可程式化非挥发性记忆体读取烧录程序以操作烧录该在系统上可程式化非挥发性记忆体。39.如申请专利范围第37项的方法,更包括切换该晶片至操作模式。40.一种形成在系统上可程式化及离系统可程式化晶片的方法,包括下列步骤:在该晶片中准备控制电路;连接离系统可程式化非挥发性记忆体至该控制电路;连接在系统上可程式化非挥发性记忆体至该控制电路;连接升压电路至该在系统上可程式化非挥发性记忆体;连接挥发性记忆体至该控制电路;连接输入/输出单元至该控制电路;其中,该离系统可程式化非挥发性记忆体的烧录电压系从该晶片外部供应,而该在系统上可程式化非挥发性记忆体的烧录电压系由该升压电路供应。41.如申请专利范围第40项的方法,更包括烧录该控制电路的程式至该离系统可程式化非挥发性记忆体。42.如申请专利范围第40项的方法,更包括连接状态机至该在系统上可程式化非挥发性记忆体,以防止该在系统上可程式化非挥发性记忆体被过度抹写。43.如申请专利范围第40项的方法,更包括烧录资料码至该离系统可程式化非挥发性记忆体。44.如申请专利范围第40项的方法,更包括烧录状态机程式至该离系统可程式化非挥发性记忆体,以防止该在系统上可程式化非挥发性记忆体被过度抹写。45.如申请专利范围第40项的方法,更包括分割一记忆体区块作为该离系统可程式化非挥发性记忆体及在系统上可程式化非挥发性记忆体。46.如申请专利范围第40项的方法,更包括藉一开关连接该在系统上可程式化非挥发性记忆体至该升压电路。47.如申请专利范围第40项的方法,更包括烧录该控制电路操作该在系统上可程式化非挥发性记忆体程式化之程序控制程式至该离系统可程式化非挥发性记忆体。48.如申请专利范围第40项之方法,更包括烧录资料码至该在系统上可程式化非挥发性记忆体。49.如申请专利范围第40项之方法,更包括烧录该控制电路的程式以外的程式至该在系统上可程式化非挥发性记忆体。图式简单说明:第一图系习知的微控制器的示意图;第二图系根据本发明的第一实施例的示意图;第三图系根据本发明的第二实施例的示意图;第四图系第三图中的在系统上可程式化非挥发性记忆体的实施例记忆胞;第五图系根据本发明的第三实施例的示意图;第六图系根据本发明的第四实施例的示意图;第七图系根据本发明的第五实施例的示意图;及第八图系根据本发明的第六实施例的示意图。 |
