| 主权项 |
1.一种含有薄膜合成物之能量储存装置,该薄膜合成物包括:(a)镍涂敷之铜基板;及(b)于该镍涂敷之铜基板上的电介质层。2.如申请专利范围第1项之能量储存装置,其中该镍涂数之铜基板的上部表面及下部表面皆涂布着电介质层。3.如申请专利范围第2项之能量储存装置,其中该镍涂敷之铜基板的铜由镍包住。4.如申请专利范围第3项之能量储存装置,其中该电介质为BaaTibOc,其中a及b各自独立地从0.75至1.25.c之范围从2.5至5.0。5.如申请专利范围第3项之能量储存装置,其中该电介质为PbaLbZrxTiyOz,其中L为镧金属;x及y的范围各自独立地在0.35至0.65之间;z从2.5至5.0:a从0.95至1.25;及b从0.02至0.10。6.如申请专利范围第1项之能量储存装置,其中一阻碍层或缓冲层在镍涂敷的铜基板及电介质层之间。7.如申请专利范围第1项之能量储存装置,其中又包括一导电层,如此该电介质则在该导电层及镍涂敷的铜基板之间。8.如申请专利范围第6项之能量储存装置,其中该阻碍层包括贵金属。9.如申请专利范围第6项之能量储存装置,其中该缓冲层包括玻璃。10.如申请专利范围第1项之能量储存装置,其中该铜基板为一铜箔。11.如申请专利范围第2项之能量储存装置,其中一下方阻碍层或缓冲层置于基板的电介质及下部表面之间,及一上方的阻碍层或缓冲层置于最上层电介质及基板的上部表面之间。12.如申请专利范围第11项之能量储存装置,其中该镍涂敷的铜基板由镍包住。13.一种用于薄膜合成物之铜基板的制造方法,其中包括:(a)将镍沉积到铜基板上,以提供镍涂敷之铜基板;及(b)退火该镍涂敷之铜基板。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该镍涂敷之铜基板的退火温度在400℃及820℃之间。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该镍涂数之铜基板由镍包住。16.如申请专利范围第13项之方法,其中藉由溶胶-凝胶或真空沉积技术,将镍沉积在该铜基板上。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该镍涂数之铜基板在温度650℃至约800℃之间予以退火。18.如申请专利范围第16项之方法,其中该镍涂敷之铜基板于温度约400℃下退火约120分钟。19.如申请专利范围第14项之方法,其中该镍涂数之铜基板于温度约800℃下退火约20分钟。20.一种薄膜合成物之制造方法,其包括:(a)将镍沉积到铜基板上,以提供镍涂敷之铜基板;(b)于温度400至800℃下,对该镍涂数之铜基板退火一段足够的时间,以提供一镍涂数之铜基板;及(c)于该镍涂数之铜基板上沉积一电介质。21.如申请专利范围第20项之方法,其中藉由溶胶-凝胶或真空沉积技术,将镍沉积在基板上。22.如申请专利范围第20项之方法,其中又包括沉积一导电层到该电介质层之上。23.如申请专利范围第20项之方法,其中随着步骤(a)后将一阻碍层或缓冲层涂布到该镍涂敷的铜基板之上。24.如申请专利范围第20项之方法,其中该镍涂数之铜基板为一种由镍包住之铜基板。图式简单说明:第1图为根据本发明之方法所制造的镍涂敷基板,其最理想的退火温度对退火时间图。第2图为于温度400℃下预退火120分钟后,镍涂数之铜基板的内部结构之扫描式电子显微图。第3图为于温度900℃下预退火5分钟后,镍涂敷之铜基板的内部结构之扫描式电子显微图。第4及5图为于温度800℃下预退火20分钟后,镍涂数之铜基板的内部结构之扫描式电子显微图。第6图为于温度500℃下预退火90分钟后,镍涂数之铜基板的内部结构之扫描式电子显微图。第7图为于温度650℃下预退火30分钟后,镍涂敷之铜基板的内部结构之扫描式电子显微图。第8图为根据本发明之薄膜合成物,其包括已在上部及下部表面涂敷镍的铜基板、电介质、可选择的阻碍层或缓冲层及顶端电极。第9图为根据本发明之薄膜合成物,其具有完全由镍包围的铜基板。 |
