| 主权项 |
1.一种四阶记录可擦拭型相变化碟片,具有双记录层,且在同一聚焦深度内,其结构为:基板-上介电层-上记录层-中介电层-下记录层-下介电层-反射层。2.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,可以形成上记录层的材料为锗(Ge)、鍗(Te)、锑(Sb)、铟(In)、银(Ag)等合金系列,如AgInSbTe,GeTeSb等。3.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,上记录层厚度为一奈米到一百奈米之间。4.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,可以形成下记录层的材料为:锗(Ge)、鍗(Te)、锑(Sb)、铟(In)、银(Ag)等合金系列,如AgInSbTe、GeTeSb等。5.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,下记录层厚度为一奈米到一百奈米之间。6.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,介电层的材料特性为具有低热导系数之材料,如氮化矽(SiNx),硫化锌-二氧化矽(ZnS-SiO2)等。7.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,介电层厚度随膜层位置的不同而有不同的需求,为一奈米到一百奈米。8.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,中介电层厚度为一奈米到两百奈米,使两层记录层在用一聚焦深度之内。9.如申请专利范围第1项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,所形成之四种记录区域分别为:两层记录层皆形成结晶态,只在上记录层上记录上非结晶态记号,两层记录层皆记录上非结晶态记号,只在下记录层上记录上非结晶态记号。10.如申请专利范围第9项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,在两层记录层皆形成结晶态的方法如下:利用较低的雷射功率使上、下记录层的温度分别超过其结晶温度,但仍未超过其熔点,再经由退火过程,使两层记录层先形成结晶态,完成此初始化动作后再开始记录非结晶态记号。11.如申请专利范围第9项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,只在上记录层上记录上非结晶态记号的方法如下:提高雷射功率,利用脉冲方式,使上记录层的温度高于熔点,但下记录层的温度仍未超过熔点,经由快速冷却可在上记录层形成非结晶态记号,下记录层仍未记录上记号。12.如申请专利范围第9项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,在两层记录层皆记录上非结晶态记号的方法如下:再增加雷射功率,利用脉冲方式,使上、下记录层温度皆高于各自的熔点,经快速冷却,可在上、下记录层上皆形成非结晶态记号。13.如申请专利范围第9项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,只在下记录层上记录上非结晶态记号的方法如下:先在上、下记录层上形成非晶态记号,再使用低的雷射功率,对上记录层进行擦拭,使上记录层的温度高于结晶温度,但下记录层的温度仍低于下记录层的结晶温度,如此可将上记录层上的记号擦拭,使记号只在下记录层上。14.如申请专利范围第9项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,由于结晶态和非结晶态具有不同的折射系数(n,k),所以当上、下记录层分别在不同的材料相位下,会造成不同的反射率値,反射率范围为0%到100%。15.如申请专利范围第14项所述之四阶记录可擦拭型相变化碟片,任何两个反射率差要大于五个百分比。图式简单说明:第一图:传统相变化碟片结构、记录方式及读出信号第二图:四阶记录可擦拭型相变化碟片结构第三图:在四阶记录可擦拭型相变化碟片上所形成的四种记录区域第四图:相对于不同的记录区域,当上下两层记录层分别在不同相(phase)下,会形成四种不同的反射率第五图:四阶记录可擦拭型相变化碟片所形成的四阶读出信号,及每种记录区域所对应的二进位码(binary code) |
