| 摘要 |
一种积合有功率控制回路之射频功率放大器模组，形成于一印刷电路板上且封装于一模具内。为了使射频功率放大器模组之整体尺寸最小仳，采用具有较小尺寸的电容器以取代先前技艺之陶瓷定向耦合器。除了电容器以外，射频功率放大器、匹配电路、功率检测器、以及功率控制特殊应用积体电路也都在尚未封装之状态下积合于印刷电路板上。更且，射频功率放大器及功率检测器可形成于共通的半导体基板上。因此，射频功率放大器模组具有尺寸微小与寄生阻抗最小化之优点。五、(一)、本案代表图为：第＿2＿图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：11,13,15 半导体基板12,14 射频功率放大器21,23 匹配电路24,28 衰减器25,27 电容器30 印刷电路板32,34 功率检测器36 温度补偿用功率检测器40 功率合并器50 天线60 功率控制特殊应用积体电路 |
| 主权项 |
1.一种射频功率放大器模组,形成于一印刷电路板上且封装于一模具内,包含:至少一射频功率放大器,形成于一第一半导体基板上,用以输出一功率信号;至少一匹配电路,连接于该至少一射频功率放大器,用以作为输出匹配;至少一电容器,连接于该至少一匹配电路,用以撷取该功率信号之一部分作为一功率代表信号;至少一功率检测器,形成于该第一半导体基板上且连接于该至少一电容器,用以转换该功率代表信号成一电压位准信号;以及一功率控制特殊应用积体电路,形成于一第二半导体基板上,用以接收一从外界输入的功率控制信号与该电压位准信号并且基于该功率控制信号与该电压位准信号之比较结果输出一功率调整信号至该至少一射频功率放大器,其中该至少一射频功率放大器、该至少一功率检测器、以及该功率控制特殊应用积体电路皆以裸露晶粒之形式安装于该印刷电路板上。2.如申请专利范围第1项之射频功率放大器模组,更包含至少一衰减器,连接于该至少一电容器与至少一功率检测器间,用以调整该功率代表信号。3.如申请专利范围第2项之射频功率放大器模组,其中该至少一衰减器中之每一个系由一具有高阻抗的微带线所形成。4.如申请专利范围第1项之射频功率放大器模组,其中该第一半导体基板系由砷化镓所形成。5.如申请专利范围第1项之射频功率放大器模组,其中该第二半导体基板系由矽所形成。6.如申请专利范围第1项之射频功率放大器模组,其中该至少一功率检测器中之每一个系由一肖特基二极体所形成。7.如申请专利范围第1项之射频功率放大器模组,更包含一温度补偿用功率检测器,连接于该功率控制特殊应用积体电路与地面间,用以输入一参考信号至该功率控制特殊应用积体电路,藉以进行温度补偿。8.如申请专利范围第7项之射频功率放大器模组,其中该温度补偿用功率检测器系由一肖特基二极体所形成。9.如申请专利范围第7项之射频功率放大器模组,其中该温度补偿用功率检测器系形成于该第一半导体基板上。图式简单说明:图1系显示习知的射频功率放大器模组与功率控制回路之示意图;以及图2系显示依据本发明之积合有功率控制回路之射频功率放大器模组之示意图。 |
