| 主权项 |
1.一种对乾式蚀刻装置的四氟乙烯气体供给装置,系具备:分离四氟乙烯(TFE)/二氧化碳(CO2)混合气体为各气体成分之膜分离装置、供给TFE/CO2混和气体至膜分离装置之气体供给部、供给以膜分离装置分离之TFE至乾式蚀刻装置之TFE供给机构以及排出以膜分离装置分离之CO2之CO2排出机构。2.如申请专利范围第1项所记载之供给装置,其中,该膜分离装置选择性地透过与排出CO2。3.如申请专利范围第1项所记载之供给装置,进一步具备透过侧和非透过侧之压力差调节手段。4.如申请专利范围第3项所记载之供给装置,其中压力差调节手段由膜分离装置之透过侧压力调节手段和/或非透过侧压力调节手段所组成。5.如申请专利范围第4项所记载之供给装置,其特征系:该透过侧压力调节手段系连接于膜分离装置之透过侧之乾式蚀刻装置之减压供给装置或加压膜分离装置之透过侧,将透过侧之排出气体导入附属于乾式蚀刻装置之排出气体处理装置之手段。6.如申请专利范围第1项所记载之供给装置,进一步具备调整对TFE/CO2混和气体之膜分离装置之供给速度之调节手段。7.一种对乾式蚀刻装置供给四氟乙烯之方法,系包含:(1)供给四氟乙烯(TFE)/二氧化碳(CO2)混合气体至膜分离装置之步骤;(2)分离成膜分离装置之透过侧CO2气体和实质纯粹非透过侧TFE气体,分离时之TFE之损失为10%以下之步骤;以及(3)将非透过侧TFE气体导入乾式蚀刻装置之步骤。8.如申请专利范围第7项所记载之方法,其中,TFE/CO2混和气体系包含20摩尔%以上之CO2之气体。9.如申请专利范围第7项所记载之方法,其中,膜分离装置之透过侧和非透过侧之差压系为0.01-1.0Mpa。10.如申请专利范围第7项所记载之方法,其中,混合气体之供给速度系为10-2000m1/min。11.一种对乾式蚀刻装置的四氟乙烯气体供给装置,系供给四氟乙烯/二氧化碳混合气体至膜分离装置入口,从膜分离装置之出口对乾式蚀刻装置供给实质纯粹之四氟乙烯气体。12.一种对乾式蚀刻装置的四氟乙烯气体供给装置,系供给含二氧化碳20摩尔以上之四氟乙烯/二氧化碳混合气体至膜分离装置入口,从出口得到实质纯粹之四氟乙烯气体。13.一种对乾式蚀刻装置的四氟乙烯气体供给装置,系包含可充分防止四氟乙烯之重合之重合防止剂,更且供给含二氧化碳20摩尔%以上之四氟乙烯/二氧化碳混合气体至膜分离装置入口,从出口得到实质纯粹之四氟乙烯气体。14.如申请专利范围第11-13项之任一项所记载之供给装置,进一步具备:由调节膜分离装置之透过侧之压力之透过侧压力调节手段和/或调节膜分离装置之非透过侧之压力之非透过侧压力调节手段所组成之透过侧和非透过侧之压力差调节手段。15.如申请专利范围第14项所记载之供给装置,其特征系:透过侧压力调节手段为连接于膜分离装置之透过侧之乾式蚀刻装置之减压供给装置或加压膜分离装置之透过侧,将透过侧的排出气体导入附属于乾式蚀刻装置之排出气体处理装置之手段。图式简单说明:第1图系显示对本发明之乾式蚀刻装置之TFE供给装置之一实施态样图。第2图系显示对本发明之乾式蚀刻装置之TFE供给装置之又一实施态样图。 |
