陶瓷接合体、基板固持构造及基板处理装置

摘要

本发明可得到一种具有优良耐蚀性及密封性，同时具有优良尺寸精度，施加机械或热应力时具有充分耐久性的基板固持构造。作为本发明基板固持构造的固持体(1)具备陶瓷基体(2)：为了固持基板；保护筒体(7)：与陶瓷基体(2)接合；及，接合层(8)：位于陶瓷基体(2)和保护筒体(7)之间，接合陶瓷基体(2)和保护筒体(7)。接合层(8)含有稀土金属氧化物2质量%以上70质量%以下、氧化铝10质量%以上78质量%以下、氮化铝2质量%以上50质量%以下。在接合层(8)上述三种成分中，稀土金属氧化物或氧化铝的比率最多。

主权项

1.一种基板固持构造,其系用于在处理基板之时固持基板者,其具备陶瓷基体:用以固持基板;密封构件:与前述陶瓷基体接合;及,接合层:位于前述陶瓷基体和前述密封构件之间,接合前述陶瓷基体和前述密封构件,前述接合层含有稀土金属氧化物2质量%以上70质量%以下,氧化铝10质量%以上78质量%以下,氮化铝2质量%以上50质量%以下,在前述接合层前述三种成分中,前述稀土金属氧化物或前述氧化铝的比率最多者。2.如申请专利范围第1项之基板固持构造,其中在前述接合层,前述稀-土金属氧化物含有率为10质量%以上50质量%以下,前述氧化铝含有率为30质量%以上70质量%以下,前述氮化铝含有率为10质量%以上30质量%以下。3.如申请专利范围第1项之基板固持构造,其中前述接合层氦泄漏率小于1.010-8Pam3/s,根据JIS规格的4点弯曲强度超过147MPa。4.如申请专利范围第1项之基板固持构造,其中前述接合层包含藉由前述氮化铝因熔化再析出现象而析出所形成的氮化铝粒子。5.如申请专利范围第1项之基板固持构造,其中在前述陶瓷基体和前述密封构件的接合部,在前述陶瓷基体和前述密封构件的任何一方形成嵌入槽,在前述嵌入槽在嵌合前述陶瓷基体和前述密封构件的任何他方的状态接合前述陶瓷基体和前述密封构件。6.如申请专利范围第1项之基板固持构造,其中前述陶瓷基体具有电路,更具备供电用导电构件:连接于前述陶瓷基体的前述电路,前述密封构件配置成包围前述供电用导电构件。7.一种基板处理装置,其特征在于:具备申请专利范围第1项之基板固持构造者。8.一种基板固持构造,其系用于在处理基板之时固持基板者,其具备陶瓷基-体:用以固持基板;密封构件:与前述陶瓷基体接合;及,接合层:位于前述陶瓷基体和前述密封构件之间,接合前述陶瓷基体和前述密封构件,前述接合层系由加热焙烧接合材料所产生,该接合材料含有稀土金属氧化物2质量%以上70质量%以下、氧化铝10质量%以上78质量%以下、氮化铝2质量%以上50质量%以下,在前述接合层前述三种成分中,前述稀土金属氧化物或前述氧化铝的比率最多者。9.如申请专利范围第8项之基板固持构造,其中前述接合层系由加热焙烧前述接合材料产生,该前述接合材料系前述稀土金属氧化物含有率10质量%以上50质量%以下、前述氧化铝含有率30质量%以上70质量%以下、前述氮化铝含有率10质量%以上30质量%以下。10.一种陶瓷接合体,其特征在于:具备第一陶瓷体;第二陶瓷体:与前述第一陶瓷体接合;及,接合层:位于前述第一陶瓷体和前述第二陶瓷体之间,接合前述第一陶瓷体和前述第二陶瓷体,前述接合层含有稀土金属氧化物2质量%以上70质量%以下,氧化铝10质量%以上78质量%以下,氮化铝2质量%以上50质量%以下,在前述接合层前述三种成分中,前述稀土金属氧化物或前述氧化铝的比率最多者。11.如申请专利范围第10项之陶瓷接合体,其中在前述接合层,前述稀土金属氧化物含有率为10质量%以上50质量%以下,前述氧化铝含有率为30质量%以上70质量%以下,前述氮化铝含有率为10质量%以上30质量%以下。12.如申请专利范围第10项之陶瓷接合体,其中前述接合层氮泄漏率小于1.010-8Pam3/s,根据JIS规格的4点弯曲强度超过147MPa。13.如申请专利范围第10项之陶瓷接合体,其中前述接合层包含藉由前述氮化铝因熔化再析出现象而析出所形成的氮化铝粒子。14.如申请专利范围第10项之陶瓷接合体,其中在前述第一陶瓷体和前述第二陶瓷体的接合部,在前述第一和第二陶瓷体的任何一方形成嵌入槽,在前述嵌入槽在嵌合前述第一和第二陶瓷基体的任何他方的状态接合前述第一陶瓷体和前述第二陶瓷体。15.如申请专利范围第10项之陶瓷接合体,其中前述第一陶瓷体具有电路,更具备供电用导电构件:连接于前述第一陶瓷体的前述电路,前述第二陶瓷体配置成包围前述供电用导电构件。16.一种基板-处理装置,其特征在于:具备申请专利范围第10项之陶瓷接合体者。17.一种陶瓷接合体,其特征在于:具备第一陶瓷体;第二陶瓷体:与前述第一陶瓷体接合;及,接合层:位于前述第一陶瓷体和前述第二陶瓷体之间,接合前述第一陶瓷体和前述第二陶瓷体,前述接合层系由加热焙烧接合材料所产生,该接合材料含有稀土金属氧化物2质量%以上70质量%以下、氧化铝10质量%以上78质量%以下、氮化铝2质量%以上50质量%以下,在前述接合层前述三种成分中,前述稀土金属氧化物或前述氧化铝的比率最多者。18.如申请专利范围第17项之陶瓷接合体,其中前述接合层系由加热焙烧前述接合材料产生,该前述接合材料系前述稀土金属氧化物含有率10质量%以上50质量%以下、前述氧化铝含有率30质量%以上70质量%以下、前述氮化铝含有率10质量%以上30质量%以下。图式简单说明:图1为显示作为本发明基板支持构造体的固持体的截面模式图。图2为显示图1所示的固持体变形例的截面模式图。图3为说明氦检漏试验的模式图。图4为显示由习知基板固持体和保护构件构成的固持体的截面模式图。