| 主权项 |
1.一种雷射退火装置,包括:一腔体;一可移动装置,配置于该腔体内;一气流导向喷头,配置于该腔体内,且接近该可移动装置;一雷射光源,用以发射一雷射光束到该腔体内,该雷射光束系通过该气流导向喷头而照射在该可移动装置上;以及一气体供应装置,与该腔体内的该气流导向喷头相连通,以输送气体到该雷射光束所照射的该可移动装置上之一位置。2.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,其中该气流导向喷头是呈中间窄而两端宽的形状。3.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,其中该气流导向喷头是呈漏斗状。4.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,更包括一光学系统,配置于该雷射光源与该腔体之间,以将该雷射光源所发射之该雷射光束导引至该可移动装置上的该位置。5.如申请专利范围第4项所述之雷射退火装置,其中该腔体更包括一雷射入射板,对应于该光学系统,以使该雷射光束透过该雷射入射板照射到该腔体内。6.如申请专利范围第5项所述之雷射退火装置,其中该雷射入射板之材质包括石英玻璃。7.如申请专利范围第1项所述之雷射退火装置,更包括一管线,连接该气体供应装置与该气流导向喷头。8.一种雷射退火装置,包括:一气流导向喷头,配置于一腔体内;一雷射光源,用以发射一雷射光束通过该气流导向喷头而照射在一位置;以及一气体供应装置,与该气流导向喷头相连通,以输送气体到该雷射光束所照射的该位置。9.如申请专利范围第8项所述之雷射退火装置,其中该气流导向喷头是呈中间窄而两端宽的形状。10.如申请专利范围第8项所述之雷射退火装置,其中该气流导向喷头是呈漏斗状。11.如申请专利范围第8项所述之雷射退火装置,更包括一管线,连接该气体供应装置与该气流导向喷头。12.一种雷射退火之方法,包括:提供一物件;将一雷射光束照射至该物件上的一位置,同时供应一气体至物件上被该雷射光束照射的该位置。13.如申请专利范围第12项所述之雷射退火之方法,其中该气体包括氮气。14.如申请专利范围第12项所述之雷射退火之方法,其中该气体包括惰性气体。15.如申请专利范围第12项所述之雷射退火之方法,其中该物件包括一非晶矽薄膜。16.如申请专利范围第15项所述之雷射退火之方法,其中该气体包括一含掺杂元素的气体。17.如申请专利范围第16项所述之雷射退火之方法,其中该物件包括该含掺杂元素的气体包括磷化氢。18.一种多晶矽薄膜之形成方法,包括:于一基板上形成一非晶矽薄膜;以及利用一雷射光束扫描该非晶矽薄膜,且供应一含掺杂元素的气体至该非晶矽薄膜被该雷射光束照射的位置。19.如申请专利范围第18项所述之多晶矽薄膜之形成方法,其中该含掺杂元素的气体包括磷化氢。图式简单说明:第1图是习知一种雷射退火装置的示意图;第2图是依照本发明之一较佳实施例之雷射退火装置的示意图;第3图所示为第2图之第Ⅲ部位的放大示意图;以及第4图则是利用第2图所示之雷射退火装置所进行的多晶矽薄膜之制造流程步骤图。 |
