| 主权项 |
1.一种在薄膜沈积装置之真空处理室内供作为基底基座之晶片承载器,包括:晶片承载器主体;以及提供在该晶片承载器主体上以由底部支撑该基底之挖割部分,该挖割部分具有小于该基底之大小。2.一种表面处理方法,包括下列步骤:在具有以SiO2为主成分之晶片承载器表面上施加喷砂处理;以及蚀刻该晶片承载器表面。3.如申请专利范围第2项之表面处理方法,尚包括在该喷砂步骤之前遮蔽与该基底形成接触之该晶片承载器一部分之步骤。4.如申请专利范围第2项之表面处理方法,尚包括在该喷砂步骤前之高压冲洗该晶片承载器表面之步骤。5.如申请专利范围第2项之表面处理方法,其中该喷砂步骤为使用SiO2或是SiC实行。6.如申请专利范围第2项之表面处理方法,尚包括在该蚀刻步骤后之高压冲洗该晶片承载器表面之步骤。7.一种具有以SiO2为主要成分之玻璃工具之表面处理方法,其系使用于半导体形成处理、电浆显示面板形成处理、电浆定址液晶形成处理以及平坦面板显示器形成处理之基底及晶圆邻近区域,包括:施行喷砂处理在待处理之物件表面上之第一步骤;蚀刻待处理之该物件表面之第二步骤;以及以下列之一方法洁净待处理之该物件之第三步骤:(i)高压冲洗;(ii)纯水冲洗以及高压冲洗。8.一种反射型液晶面板之薄膜电晶体基底(TFT基底)之表面处理方法,包括:施行喷砂处理在TFT基底表面上之第一步骤;蚀刻该TFT基底表面之第二步骤;以及以下列之一方法洁净待处理之物件之第三步骤:(i)高压冲洗;(ii)纯水冲洗以及高压冲洗。9.如申请专利范围第7项之表面处理方法,尚包括在该喷砂步骤前之遮蔽与该基底形成接触之该晶片承载器一部分之步骤。10.如申请专利范围第7项之表面处理方法,尚包括在该喷砂步骤前之高压冲洗该晶片承载器表面之步骤。图式简单说明:图1为基底及本发明晶片承载器之透视图以说明大小关系;图2A为晶片承载器之上视图;图2B为沿着图2A之线AA所取之截面图以及图2C为图2B之部分放大图;图3显示本发明洁净方法之步骤;图4显示喷砂步骤之前之横截面状态以及晶片承载器表面状态;图5显示喷砂步骤之后之横截面状态以及晶片承载器表面状态;图6显示喷砂步骤及蚀刻步骤之后之横截面状态以及表面状态;图7显示传统洁净方法之步骤;以及图8显示一装置之结构以说明在如侧向沈积方法之膜沈积期间基底之移位。 |
