| 主权项 |
1.一种电浆处理方法,是使用高频电压处理试样,其特征为:该高频电压由一周期内分割时间成复数个次区域构成,各次区域由不同的振幅构成,可独立控制对该复数个次区域的至少一个区域的施加功率,每一处理该试样的单位控制该至少一个次区域的施加功率。2.如申请专利范围第1项所述之电浆处理方法,其中可控制对该复数个次区域的至少一个区域的该高频电压的振幅以及负载比,每一处理该试样的单位控制该至少一个次区域的该高频电压的振幅以及负载比。3.如申请专利范围第1项所述之电浆处理方法,其中可控制对该复数个次区域的至少一个区域的该高频电压的振幅以及负载比,每一处理该试样的单位变更至少一周期的振幅大的次区域的时间的比例。4.一种电浆处理方法,系使用高频电压处理试样,其特征为:该高频电压由一周期内分割时间成复数个次区域构成,可独立控制对各次区域的施加功率以及各次区域的负载比而构成,监控该试样的处理状态,依照该处理状态的变化,每一处理该试样的单位反馈控制该各次区域的施加功率及/或各次区域的负载比。5.如申请专利范围第4项所述之电浆处理方法,其中监控该试样的处理状态,依照该处理状态的变化,用以维持对该试样的处理特性,每一处理该试样的单位控制该各次区域的施加功率及/或各次区域的负载比。6.如申请专利范围第4项所述之电浆处理方法,其中在处理后测定加工尺寸,依照该値变更高频电压的负载比。7.如申请专利范围第4项所述之电浆处理方法,其中测定电浆发光强度,依照该测定値的变动变更高频电压的负载比。8.如申请专利范围第4项所述之电浆处理方法,其中该令第一次区域为进行CD增益的反馈控制的期间,第二次区域为进行选择比的反馈控制的期间,第三次区域为进行CD增益以及选择比的反馈控制的期间,在该第一次区域大大地设定施加功率,依照CD增益变更负载比。9.一种电浆处理装置,系使用高频电压处理试样,其特征为:该高频电压由一周期内分割时间成复数个次区域构成,可独立控制对各次区域的施加功率而构成,每一处理该试样的单位具备控制该各次区域的施加功率的蚀刻条件调整部。10.如申请专利范围第9项所述之电浆处理装置,其中可独立控制对该各次区域的该高频电压的振幅以及负载比而构成,每一处理该试样的单位具备控制该高频电压的振幅以及负载比的蚀刻条件调整部。11.如申请专利范围第9项所述之电浆处理装置,其中该高频电压由一周期内分割时间成复数个次区域构成,可独立控制对各次区域的施加功率以及各次区域的负载比而构成,每一处理该试样的单位具备控制该各次区域的施加功率以及各次区域的负载比的蚀刻条件调整部。12.一种电浆处理装置,如申请专利范围第9项所述之电浆处理装置,是在真空容器内使电浆发生,并且对配设于该真空容器内的试样台施加高频电压,处理配置于该试样台的基板,其中具备:连接于该试样台的高频电源;周期地开关调变来自该高频电源的高频电压的调变手段;以及对处理的每一片基板或每复数片基板,变更开关的负载比的控制手段。13.如申请专利范围第12项所述之电浆处理装置,其中该控制手段在该基板的处理后测定加工尺寸,依照该値变更该高频电压的负载比。14.如申请专利范围第12项所述之电浆处理装置,其中该控制手段测定电浆发光强度,依照该测定値的变动变更该高频电压的负载比。图式简单说明:图1是显示本发明所适用的电浆处理装置的一例的全体构成图。图2(a)、(b)是显示图1的装置中的蚀刻装置部的详细构成的纵剖面图。图3是显示施加于使用图2所示的装置时的试样的高频电压的开关的负载比与CD增益、选择比以及均匀性的蚀刻特性的关系图。图4(a)、(b)是显示被蚀刻处理的试样的剖面形状的测定(监控)値的一例的图。图5是显示使用图2的装置的处理的控制方法的流程图。图6是显示电浆处理室中的CD增益的初期値与监控结果所得到的N片处理后的CD增益特性的例子图。图7是显示显示第二实施例的蚀刻装置部的构成的纵剖面图。图8是显示使用图7的装置的处理的控制方法的流程图。图9是显示本发明的第三实施例的控制方法的流程图。图10是显示本发明的第四实施例的高频电压的施加方法的图。图11是显示图10的实施例的控制方法的流程图。图12(a)(b)(c)是显示图10的高频功率中的高频电压的负载比与CD增益、高频电压的振幅与选择比以及高频电压的负载比与蚀刻速度的关系图。图13是显示第五实施例的控制方法的流程图。图14是显示本发明所适用的电浆处理装置的其他例的全体构成图。图15是显示本发明所适用的电浆处理装置的其他例的全体构成图。 |
