| 主权项 |
1.一种应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,包括:提供一基底,该基底上已形成有呈阵列排列之复数个记忆胞;在该基底上形成一第一光阻层,覆盖该些记忆胞;进行一第一曝光制程以及一第一显影制程,以定义该第一光阻层形成一第一线/间距图案;在该第一光阻层上形成一第二光阻层;以及进行一第二曝光制程以及一第二显影制程,以定义该第二光阻层形成一第二线/间距图案,其中该第一线/间距图案与该第二线/间距图案之方向并不相同,且该第一线/间距图案与该第二线/间距图案重叠后所共同暴露之一区域即为该罩幕式唯读记忆体之一编码布植区。2.如申请专利范围第1项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该第一光阻层系为一负光阻层,且该第二光阻层系为一正光阻层。3.如申请专利范围第1项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该第一线/间距图案系与该第二线/间距图案垂直。4.如申请专利范围第1项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该第一线/间距图案系为复数个长度不一之沟渠图案。5.如申请专利范围第1项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该第二线/间距图案系为复数条规则排列之线/间距图案。6.如申请专利范围第1项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该第一曝光制程以及该第二曝光制程系分别为一偏轴式照射曝光制程。7.如申请专利范围第1项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该第一曝光制程与该第二曝光制程之曝光波长系为248nm。8.如申请专利范围第1项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该第一线/间距图案与该第二线/间距图案重叠后所共同暴露之该区域系为数个方正之开口图案。9.如申请专利范围第8项所述之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植之微影制程,其中该些方正之开口图案之尺寸系为0.12微米0.12微米。10.一种微影制程,包括:在一基底上形成一第一光阻层;进行一第一曝光制程以及一第一显影制程,以定义该第一光阻层形成一第一线/间距图案;在该第一光阻层上形成一第二光阻层;以及进行一第二曝光制程以及一第二显影制程,以定义该第二光阻层形成一第二线/间距图案,其中该第一线/间距图案与该第二线/间距图案之方向并不相同,且该第一线/间距图案与该第二线/间距图案重叠后所共同暴露之一区域系为一矩形开口图案。11.如申请专利范围第10项所述之微影制程,其中该第一光阻层系为一负光阻层,且该第二光阻层系为一正光阻层。12.如申请专利范围第10项所述之微影制程,其中该第一线/间距图案系与该第二线/间距图案垂直。13.如申请专利范围第10项所述之微影制程,其中该第一线/间距图案系为复数个长度不一之沟渠图案。14.如申请专利范围第10项所述之微影制程,其中该第二线/间距图案系为复数条规则排列之线/间距图案。15.如申请专利范围第10项所述之微影制程,其中该第一曝光制程以及该第二曝光制程系分别为一偏轴式照射曝光制程。16.如申请专利范围第10项所述之微影制程,其中该第一曝光制程与该第二曝光制程之曝光波长系为248nm。17.如申请专利范围第10项所述之微影制程,其中该矩形开口图案包括一方正之开口图案。18.如申请专利范围第17项所述之微影制程,其中该方正之开口图案之尺寸系为0.12微米0.12微米。图式简单说明:第1图为一罩幕式唯读记忆体之上视简图;第2A至第2F图为第1图中由I-I'之剖面示意图,其系为依照本发明一较佳实施例之罩幕式唯读记忆体编码布植制程之流程示意图;第3图为依照本发明一较佳实施例之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植制程之一光罩设计上视图;第4图为将第3图之光罩图案转移至一光阻层上之上视图;第5图为依照本发明一较佳实施例之应用于罩幕式唯读记忆体编码布植制程之另一光阻层之上视图;以及第6图为第4图之光阻层与第5图之光阻层重叠后之上视图。 |
