| 主权项 |
1.一种曝光方法,其特征系包含以下步骤:使用有扫描曝光装置,该装置可将载置微影光罩的微影光罩台与载置晶圆的晶圆台相互朝反向移动,然后将前述晶圆与前述微影光罩朝扫描方向相对移动而进行扫描曝光,且将前述晶圆台朝与前述扫描方向正交之步进方向移动,接着以步进及重覆式描画法对前述晶圆进行曝光;随着所使用之各曝光装置,将前导性晶圆上,于各照射区内形成于曝光方向有四个以上,且于步进方向有四个以上矩阵配置之复数标记的位置资讯予以检出之步骤;将由被重叠层曝光时所使用的扫描曝光装置得到的标记位置资讯,与由重叠层曝光所使用的扫描曝光装置得到的标记位置资讯之各座标成份的差分予以运算之步骤;从所运算之差分,求出各表示透镜像差的参数之步骤;及依据所求出参数而获得的校正参数,进行前述重叠层曝光之步骤。2.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中将前述差分(dx,dy)及前述标记未偏移而形成的位置座标(x,y)代入【数学式1】dx=k1+k3x+k5y+k7x2+k13x3dy=k2+k4y+k6x+k12x2,利用最小二乘法求出参数k1,k2,k3,k4,k5,k6,k7,k12及k13。3.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中将前述差分(dx,dy)及前述标记未偏移而形成的位置座标(x,y)代入【数学式2】dx=k1+k3x+k5y+k13x3dy=k2+k4y+k6x+k10xy(2),利用最小二乘法求出参数k1,k2,k3,k4,k5,k6,k10及k13。4.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中前述参数,系表示影像扭曲、像面弯曲、非点像差、彗星像差、三阶像差及高阶像差中任一种。5.一种曝光方法,其特征系包含以下步骤:使用有扫描曝光装置,该装置可将载置微影光罩的微影光罩台与载置晶圆的晶圆台相互朝反向移动,然后将前述晶圆与前述微影光罩朝扫描方向相对移动而进行扫描曝光,且将前述晶圆台朝与前述扫描方向正交之步进方向移动,接着以步进及重覆式描画法对前述晶圆进行曝光;将在晶圆上的被重叠层,沿着前述扫描方向形成三个以上标记的位置资讯,与形成于重叠层曝光所使用的微影光罩的标记位置资讯予以取得之步骤;计算二个位置资讯的各座标成份的差分(dx,dy)之步骤;从所运算的差分,求出各表示可随微影光罩与晶圆的扫描方向移动的0~3次误差的参数之步骤;依据所求出参数所得的校正参数校正误差,以进行前述重叠层曝光之步骤。6.如申请专利范围第5项之曝光方法,其中将前述差分(dx,dy)及前述标记未偏移而形成的位置座标(x,y)代入【数学式3】dx=k1+k3x+k5y+k11y2+k19y3,利用最小二乘法求出参数k1,k3,k5,k11及k19。7.如申请专利范围第5项之曝光方法,其中前述参数,系表示依存于前述晶圆台及微影光罩台的扫描正反方向之扫描正反误差。8.一种曝光方法,其特征系包含以下步骤:使用有扫描曝光装置,该装置可将载置微影光罩的微影光罩台与载置晶圆的晶圆台相互朝反向移动,然后将前述晶圆与前述微影光罩朝扫描方向相对移动而进行扫描曝光,且将前述晶圆台朝与前述扫描方向正交之步进方向移动,接着以步进及重覆式描画法对前述晶圆进行曝光;将在晶圆上的被重叠层,沿着前述扫描方向形成三个以上标记的位置资讯,与形成于重叠层曝光所使用的微影光罩的标记位置资讯予以取得之步骤;从形成于前述被重叠层的标记位置资讯求出各照射区的重心座标,并由形成于m层的微影光罩的标记位置资讯求出照射区的重心座标,以计算二个重心座标的差分(DX,DY)之步骤;从所运算的差分,求出分别表示可随前述晶圆步进方向移动的0~3次误差的参数之步骤;依据由所求出参数得到的校正参数校正误差,以进行前述重叠层曝光之步骤。9.如申请专利范围第8项之曝光方法,其中将前述重心座标的差分(Dx,Dy)及前述标记未偏移而形成的位置座标(X,Y)代入【数学式4】DX=k1+k3X+k5Y+k11Y2SxSxstepxSystepxDY=k2+k4Y+k6X+k12X2SySxstepySystepy (a)利用最小二乘法求出参数k1,k2,k3,k4,k5,k6,k11,k12,Sx,Sy,Sxstepx,Systepy,Systepx,及Sxstepy。10.如申请专利范围第9项之曝光方法,其中将申请专利范围第2项或第3项之k1,k2作为K1,K2,与(DX,DY)、(X,Y)一同代入前述式(a)。11.如申请专利范围第8项之曝光方法,其中前述参数,系表示前述晶圆台朝步进方向移动时所产生的偏移误差。图式简单说明:图1为第一实施形态之曝光系统的概略构成区块图。图2为形成于用以求出透镜影像扭曲QC资料的微影光罩之标记的概略平面图。图3为第一实施形态之曝光方法的流程图。图4为使用以往之校正方法进行曝光之KrF扫描曝光装置中曝光区内影像扭曲照明间差的向量图。图5为进行第一实施形态之曝光方法时的照射区内影像扭曲照明间差的向量图。图6为第二实施形态之曝光系统的概略构成区块图。图7为形成于制品产量的微影光罩照射区内之三点重叠标记的平面图。图8为第二实施形态之曝光方法的流程图。图9为使用以往之曝光方法所形成曝光装置间照射内残留误差的向量图。图10为由第二实施形态之校正方法所曝光之曝光装置间照射内残留误差的向量图。图11为第三实施形态之曝光方法的流程图。图12为由以往之曝光方法所曝光之曝光装置间晶圆成份的向量图。图13为由第三实施形态之曝光方法所曝光之曝光装置间晶圆成份的向量图。 |
