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1.一种用来热处理II-VI复合半导体的方法,该方法包括以下的步骤:(a)放置至少一种II-VI复合半导体在热处理腔室内并与铝相接触,且该腔室的内壁系由选自热解式氮化硼、六面体式氮化硼、刚玉、氧化铝、氮化铝与多晶性钻石之至少一材料所组成;以及(b)在气态环境下热处理II-VI复合半导体,该气态环境包含构成II-VI复合半导体之一部分的第II族元素。2.如申请专利范围第1项之方法,该方法进一步包括以下的步骤:在热处理II-VI复合半导体的步骤前用真空帮浦将热处理腔室抽真空。3.如申请专利范围第1项之方法,其中II-VI复合半导体和铝的接触,系以在半导体表面形成一层铝薄膜的方式提供。4.如申请专利范围第3项之方法,其中铝薄膜有厚度1到200nm。5.如申请专利范围第3项之方法,其中:(a)准备两II-VI复合半导体;和(b)两半导体被放入热处理腔使得铝薄膜彼此互相接触。6.如申请专利范围第1项之方法,其中热处理在660到1,200℃的温度进行。7.如申请专利范围第1项之方法,其中热处理的过程进行1到800小时。8.如申请专利范围第1项之方法,其中热处理后II-VI复合半导体以速率1到200℃/分钟来进行冷却。9.如申请专利范围第8项之方法,其中冷却热处理后II-VI复合半导体的方式,系以使得热处理腔室内某部分的温度低于II-VI复合半导体1到100℃的方式来实行。10.如申请专利范围第1项之方法,其中II-VI复合半导体由硒化锌组成。11.一种II-VI复合半导体,热处理的步骤为:(a)在热处理腔室内放置至少一种II-VI复合半导体,并且与铝相接触,腔室的内壁系由选自热解式氮化硼、六面体式氮化硼、刚玉、氧化铝、氮化铝,和多晶性钻石之至少一材料所组成;以及(b)在气态环境下热处理II-VI复合半导体,该气态环境包含构成II-VI复合半导体之一部分的第II族元素。12.如申请专利范围第11项之II-VI复合半导体,其中在距主要表面300m的深度内,铝浓度为1x1016到5x1020cm-3,位错密度至多为5x104cm-2。13.一种用来热处理II-VI复合半导体的装置;该装置包含一热处理腔室,其内放置至少一种II-VI复合半导体;腔室的内壁系由选自热解式氮化硼、六面体式氮化硼、刚玉、氧化铝、氮化铝与多晶性钻石之至少一材料所组成。14.如申请专利范围第13项之装置,其中热处理腔室内具有一隔离构件,以隔离II-VI复合半导体和同样放在热处理腔室内部的第II族元素,该第II族元素构成II-VI复合半导体之一部分。15.如申请专利范围第14项之装置,其中隔离构件的表面系由选自热解式氮化硼、六面体式氮化硼、刚玉、氧化铝、氮化铝与多晶性钻石之至少一材料所组成。16.如申请专利范围第13项之装置,该装置进一步包括把热处理腔室包围住的箱子,该箱子能够被真空帮浦抽真空以减少热处理腔室内部的压力。17.如申请专利范围第14项之装置,该装置进一步包括把热处理腔室包围住的箱子,该箱子能够被真空帮浦抽真空以减少热处理腔室内部的压力。18.如申请专利范围第15项之装置,该装置进一步包括把热处理腔室包围住的箱子,该箱子能够被真空帮浦抽真空以减少热处理腔室内部的压力。图式简单说明:图1为本发明热处理装置的剖面图。图2为传统热处理装置的剖面图。 |
